[发明专利]一种动态阈值隧穿场效应双栅器件在审
| 申请号： | 201911028127.3 | 申请日： | 2019-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN110797408A | 公开（公告）日： | 2020-02-14 |
| 发明（设计）人： | 何进;任源;李春来;胡国庆;刘京京;潘俊;王小萌;何箫梦;于胜 | 申请（专利权）人： | 北京大学深圳研究院 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 36124 新余市渝星知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 廖平 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市高新*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 偏置 隧穿 沟道区 双栅器件 栅介质层 场效应 控制栅 栅电极 漏区 源区 低功耗电路设计 隔离 控制栅介质层 控制栅电极 单独电压 电学性能 器件性能 阈值电压 灵敏度 栅长 调制 | ||
1.一种动态阈值隧穿场效应双栅器件，由控制栅电极、独立偏置栅电极、源区、漏区、沟道区、控制栅介质层和独立偏置栅介质层组成；
其中，所述独立偏置栅电极位于所述阈值隧穿场效应双栅器件底部的独立偏置栅介质层下，由金属衬底，并由独立偏置栅介质层与沟道区隔离；
所述控制栅电极与所述沟道区通过控制栅介质层隔离，控制栅介质层从三个侧面包围所述沟道区；
所述源区和漏区分别位于所述沟道区的两端，并被控制栅介质层将其与控制栅隔离。
2.根据权利要求1所述的一种动态阈值隧穿场效应双栅器件，其特征在于：构成沟道区的材料为不掺杂或轻掺杂的半导体材料；
所述构成源区和漏区的材料为掺杂浓度为5×1018cm-3～2×1021cm-3的半导体材料，其掺杂种类不同，前者为P掺杂，后者为N掺杂，或相反。
3.根据权利要求2所述的一种动态阈值隧穿场效应双栅器件，其特征在于：所述构成沟道区的材料为硼掺杂浓度为1×1017cm-3的硅材料；
所述构成源区材料为磷掺杂浓度为1×1020cm-3的硅材料，漏区材料为硼掺杂浓度为5×1018cm-3的硅材料。
4.根据权利要求1-3任一所述的一种动态阈值隧穿场效应双栅器件，其特征在于：
所述独立偏置栅电极的厚度为5-20纳米；
所述独立偏置栅介质层的厚度为1.2-20纳米；
所述控制栅电极的厚度为5-20纳米；
所述控制栅介质层的厚度为1.2-2纳米；
所述沟道区的宽度为3-10纳米，高度为3-50纳米。
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