[发明专利]一种用于光谱分析的硅锰合金熔融试样的制样方法在审
| 申请号： | 201911028234.6 | 申请日： | 2019-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN110596168A | 公开（公告）日： | 2019-12-20 |
| 发明（设计）人： | 顾兆鹏;崔健;白亚文 | 申请（专利权）人： | 五矿营口中板有限责任公司 |
| 主分类号： | G01N23/2202 | 分类号： | G01N23/2202;G01N23/223 |
| 代理公司： | 21101 沈阳科威专利代理有限责任公司 | 代理人： | 杨滨;胡野 |
| 地址： | 115005 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 熔融 四硼酸锂 马弗炉 预氧化 硝酸钾 预处理阶段 铂金坩埚 工艺步骤 光谱分析 硅锰合金 人工操作 人工成本 研磨混合 样品制作 自动完成 混合物 保护膜 熔融炉 熔样炉 碳酸锂 硝酸锶 减去 称取 硅锰 制样 自带 坩埚 埋设 冷却 能源 | ||
1.一种用于光谱分析的硅锰合金熔融试样的制样方法，其特征在于：包括如下步骤：
S1、按质量比为1:1:1.5的比例称取碳酸锂、硝酸锶、硝酸钾，置于研磨碗中，研磨混合均匀后放入干燥器内备用；
S2、按硅锰样品与上述混合物的质量比为1:14的比例称取硅锰样品，与上述混合物研磨混合均匀后放入干燥器内备用；
S3、按四硼酸锂与S2中的混合物的质量比为64:14的比例称取四硼酸锂，置于坩埚中；
S4、将S2中所得混合物埋设于S3中的四硼酸锂中；
S5、将坩埚置于熔样炉中，温度450℃，时间2分钟；
S6、保持熔样炉升温速率8℃/min，至温度升至850℃，并恒温8分钟，期间坩埚摇摆角度0度，摇摆速率0次/min；
S7、保持熔样炉升温速率8℃/min，至温度升至1050℃，期间坩埚摇摆角度0度，摇摆速率0次/min；
S8、保持1050℃恒温，坩埚摇摆角度10度、摇摆速率10次/min条件下熔融5分钟；坩埚摇摆角度20度、摇摆速率20次/min条件下熔融5分钟；摇摆角度25度、摇摆速率30次/min条件下熔融8分钟并静止2分钟；
S9、将熔融后的混合物自动倒入模具中，冷却至室温，样品制作完毕。
2.根据权利要求1所述的制样方法，其特征在于：所述硅锰为0.1250g，取碳酸锂0.5000g，硝酸锶0.5000g，硝酸钾0.7500g，四硼酸锂熔剂8.0000g。
3.根据权利要求1所述的制样方法，其特征在于：所述硅锰样品为200目。
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