[发明专利]智能供电电路、DSP处理方法及系统

权利要求书

1.一种智能供电电路，其特征在于，包括：具有多种电能输出的电源模块、负载、用于采集所述负载的电能的电压采集传感器以及用于根据所述电压采集传感器采集的电能判断所述负载的类型并控制所述电源输出对应的交流电或者直流电的DSP处理器；

所述电源模块的受控端与所述DSP处理器控制端连接，所述电源模块的输出端与所述负载的供电端连接，所述电压采集传感器的采集端与所述负载的输出端连接，所述电压采集传感器的输出端与所述DSP处理器的输入端连接；

其中，所述电源模块包括三个相同的逆变全桥子模块；

第一逆变全桥子模块包括：四个相同的开关管、第一可变电容以及第一供电端；第一开关管的输入端与第三开关管的输出端连接，所述第一开关管的输出端与第二开关管的输出端连接，所述第二开关管的输入端连接与第四开关管的输出端连接，第三开关管的输入端与第四开关管的输入端连接，所述第二开关管的输出端以及所述第四开关管的输入端分别与第一供电端连接；

所述第一全桥逆变子模块的第一输出端连接于所述第一开关管的输入端与第三开关管的输出端之间,所述第一全桥逆变子模块的第二输出端通过所述第一可变电容连接于所述第二开关管的输入端与第四开关管的输出端之间；

第二逆变全桥子模块包括：四个相同的开关管、第二可变电容以及第二供电端；第五开关管的输入端与第七开关管的输出端连接，所述第五开关管的输出端与第六开关管的输出端连接，所述第六开关管的输入端连接与第八开关管的输出端连接，第七开关管的输入端与第八开关管的输入端连接，所述第六开关管的输出端以及所述第八开关管的输入端分别与第二供电端连接；

所述第二全桥逆变子模块的第一输出端连接于所述第五开关管的输入端与第七开关管的输出端之间,所述第二全桥逆变子模块的第二输出端通过所述第二可变电容连接于所述第六开关管的输入端与第八开关管的输出端之间；

第三逆变全桥子模块包括：四个相同的开关管、第三可变电容以及第三供电端；第九开关管的输入端与第十一开关管的输出端连接，所述第九开关管的输出端与第十开关管的输出端连接，所述第十开关管的输入端连接与第十二开关管的输出端连接，第十一开关管的输入端与第十二开关管的输入端连接，所述第十开关管的输出端以及所述第十二开关管的输入端分别与第三供电端连接；

所述第三全桥逆变子模块的第一输出端连接于所述第九开关管的输入端与第十一开关管的输出端之间,所述第三全桥逆变子模块的第二输出端通过所述第三可变电容连接于所述第十开关管的输入端与第十二开关管的输出端之间；

所述第一逆变全桥子模的第二输出端、第二逆变全桥子模的第二输出端、第三逆变全桥子模的第二输出端相连。

2.如权利要求1所述的智能供电电路，其特征在于，所述第一可变电容包括：第一二极管、第二二极管、第三二极管、第四二极管、第一P型MOS管、第二P型MOS管以及第一电容；

所述第一二极管的正极与所述第一P型MOS管的漏极连接，所述第一二极管的负极与所述第二二极管的负极连接，所述第一P型MOS管的源极与所述二P型MOS管的源极连接，所述二P型MOS管的漏极与所述第二二极管的正极连接，所述第三二极管的正极与所述第一P型MOS管的源极连接，所述第三二极管的负极与所述第一P型MOS管的漏极连接，所述第四二极管的正极与所述第二P型MOS管的源极连接，所述第四二极管的负极与所述第二P型MOS管的漏极连接；

所述第一电容的第一端与所述第一二极管的负极连接，所述第一电容的第二端与所述第一P型MOS管的源极连接；

所述第一可变电容的第一端连接于所述第一二极管的正极与所述第一P型MOS管的漏极之间，所述第二可变电容的第一端连接于所述二P型MOS管的漏极与所述第二二极管的正极之间。