[发明专利]一种低功耗正弦波转方波电路在审

专利信息
申请号: 201911028485.4 申请日: 2019-10-29
公开(公告)号: CN110703849A 公开(公告)日: 2020-01-17
发明(设计)人: 李国峰;胡锦龙;徐华超 申请(专利权)人: 南开大学
主分类号: G05F3/26 分类号: G05F3/26
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 300371*** 国省代码: 天津;12
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摘要:
搜索关键词: 方波电路 反相器 正弦波 电流偏置电路 高通滤波电路 反相器电路 静态功耗 偏置电流 转换成方波信号 电流镜结构 正弦波信号 超低功耗 控制电流 偏置电路 正弦信号 低功耗 减小
【权利要求书】:

1.一种低功耗正弦波转方波电路,其特征在于包括电流偏置电路、高通滤波电路和反相器电路。

2.根据权利要求1所述的电流偏置电路,其特征在于,所述电流偏置电路由基准电流源CS1、第一NMOS管MN1、第二NMOS管MN2和第一PMOS管MP1采用电流镜结构所构成,利用电流偏置电路对基准电流源CS1的电流IREF进行镜像,使得流过第一PMOS管MP1和第二NMOS管MN2的静态电流与IREF相等,分别在第一PMOS管MP1和第二NMOS管MN2的栅端形成稳定的偏置电压。

3.根据权利要求1所述的高通滤波电路,其特征在于,第一电阻R1和第一电容C1构成信号输入端到第三NMOS管MN3栅端的高通滤波电路,第二电阻R2和第二电容C2构成信号输入端到第二PMOS管MP2栅端的高通滤波电路,利用高通滤波电路,可以减小输入正弦信号CLKIN到达第三NMOS管MN3栅端和第二PMOS管MP2栅端的损耗。

4.根据权利要求1所述的反相器电路,其特征在于,所述反相器电路由第二PMOS管MP2和第三NMOS管MN3构成,第二PMOS管MP2的直流偏置点由第一PMOS管MP1的栅压提供,第三NMOS管MN3的直流偏置点由第二NMOS管MN2的栅压提供,第二PMOS管MP2和第三NMOS管MN3的偏置电流与基准电流源CS1的电流IREF相等,上述两个管子不会同时处于导通状态,基准电流源CS1的电流IREF大小可控,可以保证反相器较低的静态功耗,通过反相器电路将输入正弦信号CLKIN转换成方波信号CLKOUT。

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