[发明专利]一种半导体虚设元器件的高度控制方法

权利要求书

1.一种半导体虚设元器件的高度控制方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

(1)在半导体虚设元器件的正面切割2～5条互相平行的槽且在半导体虚设元器件的背面切割2～5条互相平行的槽，半导体虚设元器件正面和半导体虚设元器件背面的槽数量差值为1，半导体虚设元器件正面的槽和半导体虚设元器件背面的槽互相平行，半导体虚设元器件正面的槽和半导体虚设元器件背面的槽在平面上的相邻投影间的距离相等且不重合；

(2)在半导体虚设元器件的槽底面和槽侧面沉积形成应力释放层，所述应力释放层的材料为硼硅玻璃或硼磷硅玻璃；

(3)将步骤(2)处理后的半导体虚设元器件在60～120℃下进行退火处理。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述应力释放层的厚度为5～10nm。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述应力释放层的厚度为6～8nm。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤(1)中，在半导体虚设元器件的正面切割2～4条互相平行的槽且在半导体虚设元器件的背面切割2～4条互相平行的槽。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述步骤(1)中，在半导体虚设元器件的正面切割2条互相平行的槽且在半导体虚设元器件的背面切割3条互相平行的槽，或者在半导体虚设元器件的正面切割3条互相平行的槽且在半导体虚设元器件的背面切割2条互相平行的槽。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤(3)中，退火的温度为70～80℃。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤(1)中，槽的宽度为1.9～2.1mm，槽的宽度为0.7～0.9μm。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述步骤(1)中，槽的宽度为2.0mm，槽的宽度为0.8μm。