[发明专利]压电薄膜及其制备方法和压电薄膜传感器有效
| 申请号： | 201911029090.6 | 申请日： | 2019-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN110752286B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 丁欢;李韦坤;马梦竹 | 申请（专利权）人： | 业成科技（成都）有限公司;业成光电（深圳）有限公司;英特盛科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H10N30/098 | 分类号： | H10N30/098;H10N30/20 |
| 代理公司： | 成都希盛知识产权代理有限公司 51226 | 代理人： | 杨冬梅;张行知 |
| 地址： | 611730 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 压电 薄膜 及其 制备 方法 传感器 | ||
1.一种压电薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
将含有压电聚合物和溶剂的溶液在基底上涂布，得到薄膜，其中，所述压电聚合物为偏氟乙烯与三氟乙烯的共聚物；及
将所述薄膜在122℃～128℃下进行第一次退火处理不超过1h，然后在130℃下进行第二次退火处理不超过20min，得到压电薄膜。
2.根据权利要求1任一项所述的压电薄膜的制备方法，其特征在于，所述将所述薄膜在122℃～128℃下进行第一次退火处理不超过1h，然后在130℃下进行第二次退火处理不超过20min的步骤之后，还包括将退火处理后的所述薄膜进行极化处理的步骤。
3.根据权利要求2所述的压电薄膜的制备方法，其特征在于，所述将退火处理后的所述薄膜进行极化处理的步骤中，极化电场为5kV～10kV，极化时间大于或等于5分钟。
4.根据权利要求1所述的压电薄膜的制备方法，其特征在于，所述薄膜的厚度为37μm～43μm。
5.根据权利要求1所述的压电薄膜的制备方法，其特征在于，所述偏氟乙烯与三氟乙烯的共聚物中，偏氟乙烯和三氟乙烯的摩尔比为80：20。
6.根据权利要求1所述的压电薄膜的制备方法，其特征在于，所述将含有压电聚合物和溶剂的溶液在基底上涂布的步骤中，采用狭缝式涂布的方式。
7.由权利要求1～6任一项所述的压电薄膜的制备方法制备得到的压电薄膜。
8.一种压电薄膜传感器，其特征在于，包括权利要求7所述的压电薄膜。
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