[发明专利]半导体材料基板、微型发光二极管面板及其制造方法

权利要求书

1.一种微型发光二极管面板的制造方法，包括：

形成半导体材料基板，其中所述半导体材料基板包括载板、牺牲层、无机绝缘层以及半导体材料层，所述牺牲层位于所述载板与所述无机绝缘层之间，所述半导体材料层通过所述无机绝缘层接合于所述牺牲层，且所述半导体材料层的电子迁移率大于20cm²/V·s；

形成多个晶体管元件，其中所述多个晶体管元件设置于所述牺牲层上；

将所述多个晶体管元件转移并接合至线路基板上，且所述多个晶体管元件电性连接所述线路基板；以及

将多个微型发光二极管元件自微型发光二极管元件基板转移至所述线路基板上，其中所述多个微型发光二极管元件电性连接所述多个晶体管元件。

2.根据权利要求1所述的微型发光二极管面板的制造方法，其中所述多个晶体管元件的转移步骤包括：

将所述多个晶体管元件转移至暂时基板上；以及

利用所述暂时基板将所述多个晶体管元件转移并接合于所述线路基板上。

3.根据权利要求1所述的微型发光二极管面板的制造方法，其中所述多个晶体管元件的转移步骤包括：

移除所述牺牲层，使所述多个晶体管元件与所述载板分离开来。

4.根据权利要求1所述的微型发光二极管面板的制造方法，其中形成所述晶体管元件的步骤包括：

移除部分所述半导体材料层以形成半导体图案。

5.根据权利要求4所述的微型发光二极管面板的制造方法，其中形成所述晶体管元件的步骤还包括：

于所述半导体图案上形成源极与漏极、栅绝缘层以及栅极，所述源极与所述漏极分别电性连接所述半导体图案的不同两区，且所述栅绝缘层覆盖所述源极、所述漏极以及部分所述半导体图案。

6.根据权利要求5所述的微型发光二极管面板的制造方法，其中在所述晶体管元件与所述线路基板接合后，所述源极、所述漏极与所述栅极位于所述半导体图案与所述线路基板之间。

7.根据权利要求5所述的微型发光二极管面板的制造方法，其中形成所述晶体管元件的步骤还包括：

形成第一接垫与第二接垫，其中所述第一接垫与所述第二接垫分别电性连接所述源极与所述漏极，且所述晶体管元件通过所述第一接垫、所述第二接垫与所述栅极接合于所述线路基板上。

8.根据权利要求7所述的微型发光二极管面板的制造方法，其中所述第一接垫、所述第二接垫与所述栅极是由同一膜层图案化形成。

9.根据权利要求1所述的微型发光二极管面板的制造方法，还包括：

形成平坦层，以覆盖所述晶体管元件与所述微型发光二极管元件；以及

在所述平坦层上形成导电层，其中所述平坦层具有暴露出所述微型发光二极管元件的顶面的开口，且所述导电层通过所述开口以电性连接所述微型发光二极管元件。

10.根据权利要求1所述的微型发光二极管面板的制造方法，还包括：

在所述多个晶体管元件转移至所述线路基板后，于所述线路基板上形成多个导电图案，其中所述多个导电图案的一部分分别电性连接所述多个晶体管元件，且所述多个微型发光二极管元件分别与所述多个导电图案的另一部分接合并电性连接。

11.根据权利要求1所述的微型发光二极管面板的制造方法，其中形成所述晶体管元件的步骤包括：

移除部分所述无机绝缘层，以形成绝缘图案，其中所述绝缘图案重叠于所述晶体管元件。

12.根据权利要求11所述的微型发光二极管面板的制造方法，其中在所述晶体管元件转移并接合至所述线路基板后，所述晶体管元件位于所述线路基板与所述绝缘图案之间。