[发明专利]一种基于卤化物钙钛矿的光敏电容器及其制备方法有效
| 申请号： | 201911029462.5 | 申请日： | 2019-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN110828177B | 公开（公告）日： | 2021-10-01 |
| 发明（设计）人： | 李明晗;胡子阳;诸跃进 | 申请（专利权）人： | 宁波大学 |
| 主分类号： | H01G7/00 | 分类号： | H01G7/00 |
| 代理公司： | 杭州五洲普华专利代理事务所(特殊普通合伙) 33260 | 代理人： | 丁少华 |
| 地址： | 315211 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 卤化物 钙钛矿 光敏 电容器 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于卤化物钙钛矿的光敏电容器，其特征在于：包括依次层状分布的导电衬底、绝缘层、钙钛矿层、PCBM层以及金属电极层，钙钛矿层在光照发生离子迁移，PCBM层对迁移的离子进行捕获，改变金属电极层和透明导电衬底之间的内建电场，从而改变金属电极层和透明导电衬底之间的介电常数，钙钛矿层厚度为300-500nm，PCBM层厚度为钙钛矿层厚度的10-30％，金属电极层厚度为50-100nm，卤化物钙钛矿层材质选用CsPbX3，X为I、Br、Cl中一种或者几种的组合。
2.根据权利要求1所述的基于卤化物钙钛矿的光敏电容器，其特征在于：金属电极层为与CsPbX3能级相匹配的Au电极。
3.一种如权利要求1或2所述的基于卤化物钙钛矿的光敏电容器的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：步骤①：在导电衬底表面旋涂钙钛矿前驱液，加热处理在导电衬底表面形成钙钛矿层；步骤②：在钙钛矿层表面制备PCBM层；步骤③：在PCBM层上蒸镀金属电极层。
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