[发明专利]一种掩模优化方法及电子设备

权利要求书

1.一种掩模优化方法，其特征在于，包括如下步骤：

S 1、提供包括掩模图形和通孔的掩模版图，所述通孔对应成像为通孔图像，模拟与所述通孔图像对应的轮廓线；

S 2、根据所述通孔图像的轮廓线得到通孔图像的虚拟轮廓线；

S 3、在所述虚拟轮廓线放置多个评价点；

S 4、获取掩模图形对应的小线段，将所述评价点与掩模图形的小线段进行关联以获得关联小线段以及关联评价点；及

S 5、根据关联评价点与通孔图像轮廓线的距离计算关联小线段的偏移修正值Δc以及根据光学临近效应获得关于每个关联小线段的偏移修正值Δe,选取Δc和Δe中数值较大者作为关联小线段的最终修正值。

2.如权利要求1所述的掩模优化方法，其特征在于：在所述步骤S 4中，通过如下方式获得关联评价点以及关联小线段：

沿着每个评价点在虚拟轮廓线法线方向搜索掩模图形的小线段，若搜索到小线段，则将该评价点与该小线段关联起来，以获得关联评价点以及关联小线路；若未搜索到小线段，则丢弃该评价点。

3.如权利要求1所述的掩模优化方法，其特征在于：掩模图形在光刻过程中对应成像为掩模图像，所述步骤S 2具体包括如下步骤：

步骤S 21、计算获得所述通孔图像与掩模图像的交叠比，设定通孔图像与掩模图像的交叠比阈值；

步骤S 22、根据交叠比阈值计算出通孔图像轮廓线能回退的截止位置；及

步骤S 23、在所述截止位置上设置通孔图像虚拟轮廓线。

4.如权利要求3所述的掩模优化方法，其特征在于：在上述步骤S 21中，所述通孔图像与所述掩模图像的交叠比的计算公式为：

5.如权利要求1所述的掩模优化方法，其特征在于：在所述步骤S 5中，偏移修正值Δc的获得包括：计算关联评价点在通孔图像上的边缘放置误差EP E，获取该评价点在通孔图像上的掩模误差增强因子M E EF，计算公式如下：

6.如权利要求1所述的掩模优化方法，其特征在于：在上述步骤S 5中，偏移修正值Δe的通过如下方式获得：

方式1、由掩模图像评价点的强度与掩模图像强度随掩模图形上小线段偏移的变化率得到；或

方式2、由掩模图像上评价点的EP E与该评价点在掩模图像上的掩模误差增强因子M EEF，其计算公式如下：

7.如权利要求1所述的掩模优化方法，其特征在于：在上述步骤S1中，根据规则模拟通孔图像的轮廓线或者根据光刻成像模型计算出通孔图像的轮廓线。

8.如权利要求1所述的掩模优化方法，其特征在于：以随机化的方式或者按照等间距的方式在所述通孔图像虚拟轮廓线放置多个评价点。

9.如权利要求1所述的掩模优化方法，其特征在于：在上述步骤S1中，所述掩模图形为长条形，所述通孔为方形，所述通孔设置在所述掩模图形的一端。

10.一种电子设备，其特征在于：其包括一个或多个处理器；

存储装置，用于存储一个或多个程序，

当所述一个或多个程序被所述一个或多个处理器执行，使得所述一个或多个处理器实现如权利要求1-9中任一项所述掩模优化方法。