[发明专利]晶硅太阳能电池用玻璃料及其制备方法和银浆

说明书

本发明属于导电浆料技术领域，具体涉及一种晶硅太阳能电池用玻璃料及其制备方法和银浆。晶硅太阳能电池用玻璃料，由以下质量百分比的组分制得：5‑20wt％Tl₂O₃，5‑10wt％PbO，20‑30wt％TeO₂，5‑10wt％Bi₂O₃，5‑15wt％WO₃，0‑5wt％SiO₂，10‑15wt％ZnO和5‑15wt％碱金属氧化物R₂O。本发明提供的玻璃料用于制备适用于晶硅太阳电池的正面银浆，使银浆获得优异的电性能和焊接拉力。

技术领域

本发明属于导电浆料技术领域，具体涉及一种晶硅太阳能电池用玻璃料及其制备方法和银浆。

背景技术

众所周知，影响太阳能电池效率损失的因素主要有：栅线遮蔽因素、栅线及其接触电阻因素及载流子复合因素。为了解决这些损失因素，市场上主要解决办法是：“高方阻、浅结、密植”，即将硅片方阻做高、硅片PN结离前表面更近、电池片副栅宽度更细数量更多。

硅片方阻是由掺杂浓度决定，掺杂浓度越高，硅片方阻就越低，但是，高的掺杂浓度会使得载流子复合率提高，过高的掺杂(>10²⁰/cm³)甚至使表面出现“死层”，即在此层内光激发产生的载流子立即被复合，完全没有机会被PN结收集；深结地不利因素与入射光的吸收衰减及光激发非平衡载流子被PN结所收集的几率分布有关，这样的分布组合使表层激发的大量载流子不能被PN结收集而损失，所以，在工艺许可的条件下，应尽可能地使PN结向表面靠近。光生电流的传输途径是：先从硅片体内从下向上传输到表面，再在表面横向传输至电极处被收集。那么，硅片方阻越大，电流横向传输时损耗越多，所以，需要更多的副栅，以降低电流横向传输时的损耗，但是，副栅越多，遮光损失越大，因此，就需要副栅做的更细，以降低电极的遮光面积。

从上述分析可以看出，硅片方阻越高、副栅越细，所需要的银硅接触电阻越小；而浆料的银硅接触性能主要由浆料中的玻璃决定，同时，玻璃也影响银电极和硅片之间的焊接拉力。

发明内容

本发明要解决的第一个技术问题是提供一种晶硅太阳能电池用玻璃料。

晶硅太阳能电池用玻璃料，由以下质量百分比的组分制得：5-20wt％Tl₂O₃，5-10wt％PbO，20-30wt％TeO₂，5-10wt％Bi₂O₃，5-15wt％WO₃，0-5wt％SiO₂，10-15wt％ZnO和5-15wt％碱金属氧化物R₂O。

优选的，所述的晶硅太阳能电池用玻璃料，由以下质量百分比的组分制得：5-20wt％Tl₂O₃，7-10wt％PbO，20-30wt％TeO₂，8-10wt％Bi₂O₃，5-15wt％WO₃，0-5wt％SiO₂，10-15wt％ZnO和15wt％碱金属氧化物R₂O。

优选的，所述的晶硅太阳能电池用玻璃料，由以下质量百分比的组分制得：5-19wt％Tl₂O₃，10wt％PbO，25-30wt％TeO₂，8-10wt％Bi₂O₃，5-15wt％WO₃，0-5wt％SiO₂，13-15wt％ZnO和15wt％碱金属氧化物R₂O。