[发明专利]一种低温烧结的铟掺杂纳米银烧结膏的制备方法及烧结方法

权利要求书

1.一种低温烧结的铟掺杂纳米银烧结膏的制备方法，其特征在于，包括：

S1：配置纳米银溶液；

S2：将纳米铟颗粒加入纳米银溶液，获得铟掺杂纳米银浆液，所述铟掺杂纳米银浆液内，铟占总质量比的范围为0.05％-2.5％；

S3：采用混合器对铟掺杂纳米银浆液做均匀混合处理，获得铟掺杂纳米银烧结膏；

所述混合器包括逆时针旋转的第一转动筒及顺时针旋转的第二转动筒，或，顺时针旋转的第一转动筒及逆时针旋转的第二转动筒；

所述均匀混合处理为，通过在第一转动筒外壁注入铟掺杂纳米银浆液，同时旋转所述第一转动筒及所述第二转动筒，剥离转动时从所述第一转动筒表面移至第二转动筒表面的贴覆物获得铟掺杂纳米银烧结膏。

2.根据权利要求1所述的低温烧结的铟掺杂纳米银烧结膏的制备方法，其特征在于，纳米银颗粒粒径小于100nm，所述纳米铟颗粒粒径小于50nm。

3.根据权利要求1所述的低温烧结的铟掺杂纳米银烧结膏的制备方法，其特征在于，所述S1包括：

S1.1：配置溶剂，所述溶剂包括分散剂，稀释剂及粘合剂；分散剂，稀释剂及粘合剂的质量分数比应为2:2:1；

S1.2：将纳米银颗粒加入溶剂中，采用螺旋振荡器进行机械振荡至少15分钟，采用超声清洗器进行超声震荡至少50分钟。

4.根据权利要求1所述的低温烧结的铟掺杂纳米银烧结膏的制备方法，其特征在于，所述S2包括：将纳米铟颗粒加入纳米银溶液，采用螺旋振荡器进行机械振荡至少15分钟，采用超声清洗器进行超声震荡至少50分钟，获得铟掺杂纳米银浆液。

5.根据权利要求3所述的低温烧结的铟掺杂纳米银烧结膏的制备方法，其特征在于，所述S1还包括：S1.3:采用混合器对超声清洗器进行超声震荡的纳米银溶液做均匀混合处理；

所述均匀混合处理为，通过在第一转动筒外壁注入纳米银溶液，同时旋转所述第一转动筒及所述第二转动筒，剥离转动时从所述第一转动筒表面移至第二转动筒表面的贴覆物获得纳米银溶液。

6.根据权利要求3所述的低温烧结的铟掺杂纳米银烧结膏的制备方法，其特征在于，所述分散剂为松油醇，所述稀释剂为异丁醇，所述粘合剂为聚乙烯醇。

7.根据权利要求1所述的低温烧结的铟掺杂纳米银烧结膏的制备方法，其特征在于，所述采用混合器对铟掺杂纳米银浆液做均匀混合处理温度范围为：70-150℃。

8.一种采用权利要求1-7所述的低温烧结的铟掺杂纳米银烧结膏的制备方法制备的低温烧结的铟掺杂纳米银烧结膏的烧结方法，其特征在于，包括：

S1：将铟掺杂纳米银烧结膏涂覆至基板上；

S2：将芯片贴合至涂覆的铟掺杂纳米银烧结膏上；

S3：控制压力及温度烧结所述基板，冷却获得烧结完成的连接器件。

9.根据权利要求8所述的铟掺杂纳米银烧结膏的烧结方法，其特征在于，所述S3中，尺寸大于10x10cm²的芯片的烧结压力为10-20MPa，持续1-2分钟，烧结温度为220-250℃，烧结温度阶梯上升，持续1-3小时。

10.根据权利要求8所述的铟掺杂纳米银烧结膏的烧结方法，其特征在于，所述S3中，尺寸小于2x2cm²的芯片不设置烧结压力，烧结温度为220-250℃，烧结温度阶梯上升，烧结时间为1-3小时。