[发明专利]一种恢复辐照后MOSFET阈值电压降低的方法在审
| 申请号： | 201911030858.1 | 申请日： | 2019-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN110783203A | 公开（公告）日： | 2020-02-11 |
| 发明（设计）人： | 曾大杰 | 申请（专利权）人： | 深圳尚阳通科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 44384 深圳市中科创为专利代理有限公司 | 代理人： | 刘曰莹;彭涛 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区高新*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 阈值电压 辐照 氧化层 俘获 漏极 空穴 辐照处理 恢复器件 空穴复合 施加电压 复合 施加 缓解 恢复 | ||
1.一种恢复辐照后MOSFET阈值电压降低的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
步骤1：提供一MOSFET，所述MOSFET经过辐照处理；
步骤2：在所述MOSFET的栅极或漏极施加一定数值的电压，并持续一段时间，使得一部分电子进入所述MOSFET的栅极的氧化层，并与俘获的空穴进行复合。
2.根据权利要求1所述的恢复辐照后MOSFET阈值电压降低的方法，其特征在于，所述步骤2中，在所述MOSFET的栅极施加电压的情况下，所述MOSFET为硅器件，所施加的电压等于4～6MV/cm*T，其中T为所述MOSFET的栅极的氧化层的厚度。
3.根据权利要求1或2所述的恢复辐照后MOSFET阈值电压降低的方法，其特征在于，所述步骤2中，在所述MOSFET的栅极施加电压情况下，所述一段时间大于等于0.1s。
4.根据权利要求3所述的恢复辐照后MOSFET阈值电压降低的方法，其特征在于，所述一段时间为0.1s～1000s。
5.根据权利要求1所述的恢复辐照后MOSFET阈值电压降低的方法，其特征在于，所述步骤2中，当在所述MOSFET的漏极施加电压时，所施加的电压为80％～110％所述MOSFET的击穿电压。
6.根据权利要求1或5所述的恢复辐照后MOSFET阈值电压降低的方法，其特征在于，所述步骤2中，当在所述MOSFET的漏极施加电压时，所述一段时间大于等于10s。
7.根据权利要求1、2、5中任一项所述的恢复辐照后MOSFET阈值电压降低的方法，其特征在于，所述步骤2在所述MOSFET封装好以后跟最终测试一起进行。
8.根据权利要求1、2、5中任一条所述的恢复辐照后MOSFET阈值电压降低的方法，其特征在于，所述步骤2在晶圆极扎针测试过程中进行。
9.根据权利要求1所述的恢复辐照后MOSFET阈值电压降低的方法，其特征在于，所述方法用于所述MOSFET的阈值电压的全部恢复。
10.根据权利要求1所述的恢复辐照后MOSFET阈值电压降低的方法，其特征在于，所述方法用于所述MOSFET的阈值电压的部分恢复。
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