[发明专利]激光SE结构图案制作方法、装置、设备及存储介质

权利要求书

1.一种硅片表面的激光SE结构的制作方法，其特征在于，包括：

预先设定在硅片表面制作激光SE结构图案的激光移动轨迹；其中，所述硅片为表面采用管式扩散技术，进行了磷源扩散掺杂的硅片，所述激光SE结构图案为所述硅片上需要设置细栅线的位置图案；

按照所述激光移动轨迹，控制照射在所述硅片表面的激光移动，在所述激光照射位置形成激光SE结构，且控制所述激光的功率随着所述激光照射位置和所述硅片的中心之间的距离减小而增大，随着所述激光照射位置和所述硅片的中心之间的距离增大而减小。

2.如权利要求1所述的硅片表面的激光SE结构的制作方法，其特征在于，所述控制所述激光的功率随着所述激光照射位置和所述硅片的中心之间的距离减小而增大，随着所述激光照射位置和所述硅片的中心之间的距离增大而减小包括：

预先将所述硅片表面划分为多个由所述硅片的中心向所述硅片的边缘逐个环绕排布的加工区域，且各个所述加工区域的中心均为所述硅片中心；

控制所述激光照射距离所述硅片的中心近的加工区域的功率，大于距离所述硅片的中心远的加工区域的功率；且当所述激光照射位置位于同一个加工区域时，所述激光的功率不变。

3.如权利要求2所述的硅片表面的激光SE结构的制作方法，其特征在于，各个所述加工区域为由所述硅片的中心指向所述硅片的边缘的径向方向的宽度逐渐增大的区域。

4.如权利要求2所述的硅片表面的激光SE结构的制作方法，其特征在于，所述控制所述激光的功率随着所述激光照射位置和所述硅片的中心之间的距离减小而增大，随着所述激光照射位置和所述硅片的中心之间的距离增大而减小包括：

预先将所述硅片表面划分为第一加工区域、第二加工区域和第三加工区域，其中，所述第一加工区域为以所述硅片的中心为圆心的圆形区域，所述第二加工区域为环绕所述第一加工区域的圆环区域，所述第三加工区域为环绕所述第二加工区域的区域；

控制所述激光照射所述第一加工区域的功率大于照射所述第二加工区域的功率；所述激光照射所述第二加工区域的功率大于所述第三加工区域的功率；且当所述激光照射位置位于同一个加工区域时所述激光的功率不变。

5.如权利要求4所述的硅片表面的激光SE结构的制作方法，其特征在于，所述第一加工区域的半径、所述第二加工区域的宽度、所述第二加工区域外环接线和所述硅片边缘线之间的距离，两两相差不大于预设距离；

所述控制所述激光照射所述第一加工区域的功率大于照射所述第二加工区域的功率；所述激光照射所述第二加工区域的功率大于所述第三加工区域的功率包括：

控制所述激光照射所述第一加工区域的功率为37W～41W，所述激光照射所述第二加工区域的功率为34W～37W，控制所述激光照射所述第三加工区域的功率为31W～34W。

6.一种硅片表面的激光SE结构的制作装置，其特征在于，包括：

轨迹设定模块，用于预先设定在硅片表面制作激光SE结构图案的激光移动轨迹；其中，所述硅片为表面采用管式扩散技术，进行了磷源扩散掺杂的硅片；

制备图案模块，用于按照所述激光移动轨迹，控制照射在所述硅片表面激光移动，在所述激光照射位置形成激光SE结构，且控制所述激光的功率随着所述激光照射位置和所述硅片的中心之间的距离减小而增大，随着所述激光照射位置和所述硅片的中心之间的距离增大而减小。

7.如权利要求6所述的硅片表面的激光SE结构的制作装置，其特征在于，所述制备图案模块包括：

区域划分单元，用于预先将所述硅片表面划分为第一加工区域、第二加工区域和第三加工区域，其中，所述第一加工区域为以所述硅片的中心为圆心的圆形区域，所述第二加工区域为环绕所述第一加工区域的圆环区域，所述第三加工区域为环绕所述第二加工区域的区域；

激光控制单元，用于控制所述激光照射所述第一加工区域的功率大于照射所述第二加工区域的功率；所述激光照射所述第二加工区域的功率大于所述第三加工区域的功率；且当所述激光照射位置位于同一个加工区域时所述激光的功率不变。