[发明专利]异质结太阳能电池片、叠瓦组件及其制造方法

权利要求书

1.一种异质结太阳能电池片，所述异质结太阳能电池片包括基体片、设置在所述基体片的顶表面上的正电极和和设置在所述基体片的底表面上的背电极，其特征在于，所述基体片包括中心层和在所述中心层的顶侧和底侧沿垂直于所述中心层的方向自所述中心层起依次层叠设置的多个非晶硅薄膜层和透光导电层，并且，在自所述中心层起指向所述正电极的方向上和自所述中心层起指向所述背电极的方向上，各个所述非晶硅薄膜层以掺杂浓度递增的方式排布。

2.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池片，其特征在于，所述中心层包括衬底层和设置在所述衬底层的顶侧和底侧的本征非晶硅薄膜层。

3.根据权利要求2所述的异质结太阳能电池片，其特征在于，所述衬底层为N型单晶硅层。

4.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池片，其特征在于，位于所述中心层顶侧的各个所述非晶硅薄膜层均为N型非晶硅薄膜层，位于所述中心层底侧的各个所述非晶硅薄膜层均为P型非晶硅薄膜层。

5.根据权利要求4所述的异质结太阳能电池片，其特征在于，所述N型非晶硅薄膜层中磷原子的浓度在5×10²⁰cm^-3的范围内，所述P型非晶硅薄膜层中硼原子的浓度在3×10¹⁹cm^-3的范围内。

6.根据权利要求4所述的异质结太阳能电池片，其特征在于，位于所述N型非晶硅薄膜层顶侧和位于所述P型非晶硅薄膜层底侧的所述透光导电层均为多个，所述多个透光导电层具有不同的透光性，并且在自所述中心层到所述正电极的方向上和自所述中心层到所述背电极的方向上，各个所述透光导电层以透光性递增的方式排布。

7.一种叠瓦组件，其特征在于，所述叠瓦组件由按照权利要求1-6中任意一项所述的异质结太阳能电池片以叠瓦方式连接而成。

8.一种制造异质结太阳能电池片的方法，其特征在于，所述方法包括制造异质结太阳能电池片整片的步骤和将所述异质结太阳能电池片整片裂片的步骤，其中，制造异质结太阳能电池片整片的步骤又包括如下步骤：

设置中心层；

在所述中心层的顶侧和底侧设置多个非晶硅薄膜层，并使各个所述非晶硅薄膜层以掺杂浓度递增的方式从所述中心层开始向外层叠排布；

在最顶部的所述非晶硅薄膜层的顶表面上以及最底部的所述非晶硅薄膜层的底表面上分别设置透光导电层，从而获得包括所述中心层、所述非晶硅薄膜层和所述透光导电层的基体片；

在所述基体片的顶表面和底表面上施加电极。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，设置中心层的步骤包括：

设置N型单晶硅层作为衬底层；

在所述衬底层的顶侧设置本征非晶硅薄膜层；

在所述衬底层的底侧设置本征非晶硅薄膜层。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，设置在所述中心层顶侧的各个所述非晶硅薄膜层均为N型非晶硅薄膜层，设置在所述中心层底侧的各个所述非晶硅薄膜层均为P型非晶硅薄膜层。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，

在设置所述N型非晶硅薄膜层的过程中，所通入气体中的磷原子和硅原子的数量比例在1％-10％的范围内；并且

在设置所述P型非晶硅薄膜层的过程中，所通入气体中的硼原子和硅原子的数量比例在1-20％的范围内。

12.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，位于所述N型非晶硅薄膜层顶侧和位于所述P型非晶硅薄膜层底侧的所述透光导电层均为多个，所述多个透光导电层具有不同的透光性，设置透光导电层的步骤包括：在自所述中心层到所述电极的方向上，以透光性递增的顺序依次排布各个所述透光导电层。

13.一种制造叠瓦组件的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：

根据权利要求7-12中任意一项所述的方法制造异质结太阳能电池片；

将多个所述异质结太阳能电池片以叠瓦方式依次相连。