[发明专利]异质结太阳能电池片、叠瓦组件及其制造方法在审
申请号: | 201911031421.X | 申请日: | 2019-10-28 |
公开(公告)号: | CN110620163A | 公开(公告)日: | 2019-12-27 |
发明(设计)人: | 王秀鹏;王月斌;蒋卫朋 | 申请(专利权)人: | 成都晔凡科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0747 | 分类号: | H01L31/0747;H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/20 |
代理公司: | 11256 北京市金杜律师事务所 | 代理人: | 刘迎春 |
地址: | 610041 四川省成都市高新区*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 异质结太阳能电池 透光导电层 中心层 透光性 电极 瓦组件 载流子 导电性 光电转化率 太阳能电池 层叠设置 断路电流 填充因子 透明区域 顶表面 偏移率 渐变 侧沿 导电 顶侧 制造 垂直 递增 | ||
1.一种异质结太阳能电池片,所述异质结太阳能电池片包括基体片和设置在所述基体片的顶表面和底表面的电极,其特征在于,所述基体片包括:
中心层;
多个透光导电层,所述多个透光导电层在所述中心层的顶侧和底侧沿垂直于所述中心层的方向层叠设置,并且在自所述中心层到所述电极的方向上,各个所述透光导电层的透光性递增。
2.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池片,其特征在于,所述中心层包括沿垂直于所述中心层的方向层叠设置的衬底层和多个非晶硅薄膜层,所述多个非晶硅薄膜层分别位于所述衬底层顶侧和底侧。
3.根据权利要求2所述的异质结太阳能电池片,其特征在于,位于所述衬底层顶侧的非晶硅薄膜层包括本征非晶硅薄膜层和位于所述本征非晶硅薄膜层顶侧的N型非晶硅薄膜层;位于所述衬底层底侧的非晶硅薄膜层包括本征非晶硅薄膜层和位于所述本征非晶硅薄膜层底侧的P型非晶硅薄膜层。
4.根据权利要求2所述的异质结太阳能电池片,其特征在于,所述衬底层为N型单晶硅层。
5.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池片,其特征在于,在自所述中心层到所述电极的方向上,各个所述透光导电层的折射率逐渐降低。
6.一种叠瓦组件,其特征在于,所述叠瓦组件由按照权利要求1-5中任意一项所述的异质结太阳能电池片以叠瓦方式连接而成。
7.一种制造异质结太阳能电池片的方法,其特征在于,所述方法包括制造异质结太阳能电池片整片的步骤和将所述异质结太阳能电池片整片裂片的步骤,其中,制造异质结太阳能电池片整片的步骤又包括如下步骤:
设置中心层;
在所述中心层的顶侧和底侧设置多个透光导电层,并使各个所述透光导电层以透光性递增的方式从所述中心层开始向外层叠排布;
在最顶部的所述透光导电层的顶表面上以及最底部的所述透光导电层的底表面上施加电极。
8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,设置中心层的步骤包括:
设置N型单晶硅层作为衬底层;
在所述衬底层的顶侧设置本征非晶硅薄膜层并在该本征非晶硅薄膜层的顶侧设置N型非晶硅薄膜层;
在所述衬底层的底侧设置本征非晶硅薄膜层并在该本征非晶硅薄膜层的底侧设置P型非晶硅薄膜层。
9.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,所述方法还包括如下步骤:
制造所述多个透光导电层,使得对于所述多个透光导电层中的任意两个,具有较强透光性的透光导电层同时具有较小的折射率。
10.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,通过选取不同的材料和/或不同的制造工艺来制造所述多个透光导电层。
11.一种制造叠瓦组件的方法,其特征在于,所述方法包括如下步骤:
根据权利要求7-10中任意一项所述的方法制造异质结太阳能电池片;
将多个所述异质结太阳能电池片以叠瓦方式依次相连。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的