[发明专利]高共模动态范围且PVT恒定的差分放大器

权利要求书

1.一种高共模动态范围且PVT恒定的差分放大器，其特征在于，所述差分放大器包括恒定跨导偏置电路、差分放大器电路及输入共模分量跟踪补偿电路，所述输入共模分量跟踪补偿电路用于提取输入信号的共模分量，所述恒定跨导偏置电路用于根据输入共模分量跟踪补偿电路反馈的共模分量提供偏置电压与电流，以抵消差分放大器电路的固有增益随PVT的变化。

2.根据权利要求1所述的高共模动态范围且PVT恒定的差分放大器，其特征在于，所述恒定跨导偏置电路包括共源共栅电流镜及偏置电流放大电路，所述共源共栅电流镜包括若干PMOS管、若干NMOS管及电阻R_C，所述偏置电流放大电路包括运算放大器、与运算放大器两个输入端相连的电阻及与运算放大器输出端相连的NMOS管。

3.根据权利要求2所述的高共模动态范围且PVT恒定的差分放大器，其特征在于，所述共源共栅电流镜用于提供偏置电流，其包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管及电阻R_C；

其中，第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管的栅极相连，第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管的源极与电压VDD相连，第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管的漏极分别与第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管的源极相连，第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管的栅极相连，第四PMOS管、第五PMOS管的漏极分别与第一NMOS管、第二NMOS管的漏极相连，第六PMOS管的漏极与偏置电流放大电路，第一NMOS管、第二NMOS管的栅极相连，第一NMOS管、第二NMOS管的源极分别与第三NMOS管、第四NMOS管的漏极相连，第三NMOS管、第四NMOS管的栅极相连，第三NMOS管的源极与电压VSS相连，第四NMOS管的源极接电阻R_C后与电压VSS相连，所述第一NMOS管的栅极和漏极相连，第三NMOS管的栅极和漏极相连。

4.根据权利要求3所述的高共模动态范围且PVT恒定的差分放大器，其特征在于，所述偏置电流放大电路用于放大共源共栅电流镜提供的偏置电流，其包括运算放大器、与运算放大器两个输入端相连的第一电阻和第二电阻、及运算放大器输出端相连的第九NMOS管；

其中，运算放大器的第一输入端和第二输入端分别接第一电阻和第二电阻后与电压VSS相连，第一输入端还与第六PMOS管的漏极相连，运算放大器的输出端与第九NMOS管的栅极相连，第九NMOS管的源极与运算放大器的第二输入端相连，第九NMOS管的漏极与差分放大器电路相连。

5.根据权利要求4所述的高共模动态范围且PVT恒定的差分放大器，其特征在于，所述差分放大器电路包括若干PMOS管、若干NMOS管及若干电阻。

6.根据权利要求5所述的高共模动态范围且PVT恒定的差分放大器，其特征在于，所述差分放大器电路包括第五NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管、第八NMOS管、及第三电阻和第四电阻；

其中，所述第五NMOS管、第六NMOS管的源极均与恒定跨导偏置电路相连，第五NMOS管、第六NMOS管的栅极分别与第一信号输入端和第二信号输入端相连，第五NMOS管、第六NMOS管的漏极分别与第七NMOS管、第八NMOS管的源极相连，第七NMOS管、第八NMOS管的栅极相连，第七NMOS管、第八NMOS管的漏极分别与第一信号输出端和第二信号输出端相连，且第七NMOS管的漏极接第三电阻后与电压VDD相连，第八NMOS管的漏极接第四电阻后与电压VDD相连。

7.根据权利要求6所述的高共模动态范围且PVT恒定的差分放大器，其特征在于，所述输入共模分量跟踪补偿电路包括PMOS管及若干电阻。