[发明专利]一种模拟开关电路有效

专利信息
申请号: 201911031931.7 申请日: 2019-10-28
公开(公告)号: CN111313878B 公开(公告)日: 2023-05-16
发明(设计)人: 张利地;张海冰 申请(专利权)人: 圣邦微电子(北京)股份有限公司
主分类号: H03K17/22 分类号: H03K17/22
代理公司: 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 代理人: 蔡纯;刘静
地址: 100089 北京市海淀*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 模拟 开关电路
【权利要求书】:

1.一种模拟开关电路,包括至少一个信号输入端和信号输出端,其中,所述模拟开关电路还包括:

至少一个模拟开关,每个所述模拟开关都包括连接于对应的所述信号输入端和信号输出端之间的P型开关管;

至少一个驱动电路,所述驱动电路用于控制对应的模拟开关的P型开关管的导通和关断;以及

掉电保护电路,用于在电源电压掉电时根据所述至少一个信号输入端、所述信号输出端以及电源端中电位更高者得到一参考电压,并将所述参考电压提供至所述至少一个驱动电路的供电端和所述P型开关管的衬底,

其中,所述掉电保护电路包括多个第一晶体管,所述多个第一晶体管的漏极分别与所述至少一个信号输入端、所述信号输出端以及所述电源端连接,所述多个第一晶体管的源极彼此连接以输出所述参考电压。

2.根据权利要求1所述的模拟开关电路,其特征在于,所述掉电保护电路还包括电压上拉模块,用于在所述电源电压正常时将所述参考电压上拉至电源电压。

3.根据权利要求1所述的模拟开关电路,其特征在于,所述第一晶体管的栅极、漏极和衬底彼此连接,以构成二极管结构。

4.根据权利要求3所述的模拟开关电路,其特征在于,所述参考电压等于所述至少一个信号输入端、所述信号输出端以及所述电源端中电位更高者与所述第一晶体管的导通阈值的电压差。

5.根据权利要求2所述的模拟开关电路,其特征在于,所述电压上拉模块包括:

连接于所述多个第一晶体管的源极和地之间的第二晶体管和电阻,所述第二晶体管的栅极用于接收所述电源电压;以及

第三晶体管,源极用于接收所述电源电压,栅极与所述第二晶体管和所述电阻的中间节点连接,漏极和衬底与所述P型开关管的衬底以及所述驱动电路的供电端连接。

6.根据权利要求1所述的模拟开关电路,其特征在于,每个所述驱动电路都包括第四晶体管和第五晶体管,

所述第四晶体管的源极用于接收所述参考电压,漏极与所述第五晶体管的漏极连接,所述第五晶体管的源极接地,

所述第四晶体管和所述第五晶体管的栅极接收第一控制信号,

所述第四晶体管和所述第五晶体管的中间节点与对应的模拟开关的所述P型开关管的栅极连接。

7.根据权利要求6所述的模拟开关电路,其特征在于,每个所述模拟开关还包括连接于所述信号输入端和所述信号输出端之间的N型开关管,所述N型开关管和所述P型开关管并联连接,

所述N型开关管的栅极接收第二控制信号,所述N型开关管的衬底接地,

其中,所述第一控制信号和所述第二控制信号为同相信号。

8.根据权利要求1所述的模拟开关电路,其特征在于,所述多个第一晶体管分别选自N型的金属氧化物半导体场效应晶体管。

9.根据权利要求5所述的模拟开关电路,其特征在于,所述第二晶体管和所述第三晶体管分别选自P型的金属氧化物半导体场效应晶体管。

10.根据权利要求6所述的模拟开关电路,其特征在于,所述第四晶体管选自P型的金属氧化物半导体场效应晶体管,所述第五晶体管选自N型的金属氧化物半导体场效应晶体管。

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