[发明专利]基片温度稳定装置及方法、光刻系统

权利要求书

1.一种基片温度稳定装置，其特征在于，在将基片转移至曝光工件台的上片过程中调节基片的温度，所述基片温度稳定装置包括：

第一温度稳定模块，位于基片的上片路径的第一工位，所述基片在所述第一工位停留第一时长，将所述基片的温度调整至第一稳定程度；以及

第二温度稳定模块，位于基片的上片路径的第二工位，所述第二工位相对于所述第一工位位于所述上片路径的前方，所述基片在所述第二工位停留第二时长，在所述第一稳定程度的基础上，将所述基片的温度调整至第二稳定程度，相较于所述第一稳定程度，所述第二稳定程度的稳定性更高，以逐步实现温度稳定要求。

2.如权利要求1所述的基片温度稳定装置，其特征在于，所述第一工位为预对准中转工位，所述第一时长为预对准等待时间，所述第二工位为预对准工位，所述第二时长为将所述基片转移至曝光工件台之前的预对准时间。

3.如权利要求2所述的基片温度稳定装置，其特征在于，所述第一时长不超过所述第二时长。

4.如权利要求1所述的基片温度稳定装置，其特征在于，所述第一温度稳定模块设置有第一基片支撑面以及散热方向朝向所述第一基片支撑面的第一冷却单元，所述第一冷却单元包括导热板以及设置于所述导热板背面一侧的冷却管道，所述导热板的正面覆盖有抗静电层，所述抗静电层的表面为所述第一基片支撑面。

5.如权利要求4所述的基片温度稳定装置，其特征在于，所述冷却管道在所述导热板背面一侧排布为平面，且越远离所述第一基片支撑面的中心，所述冷却管道的直径越大。

6.如权利要求4所述的基片温度稳定装置，其特征在于，所述冷却管道包括形成于所述导热板背面的沟槽；所述导热板为铝板。

7.如权利要求4所述的基片温度稳定装置，其特征在于，所述第一温度稳定模块包括设置于所述第一冷却单元上的温度传感器。

8.如权利要求4所述的基片温度稳定装置，其特征在于，所述第一温度稳定模块还包括基片升降单元，所述基片升降单元包括至少一个垂直于所述第一基片支撑面的升降杆；所述导热板对应于所述升降杆的位置设置有开孔；所述升降杆在垂直于所述第一基片支撑面的方向上具有高于所述第一基片支撑面的最高点和低于所述第一基片支撑面的最低点之间的升降范围。

9.如权利要求8所述的基片温度稳定装置，其特征在于，所述升降杆的顶表面设置有吸气口，所述第一温度稳定模块还包括真空单元，所述真空单元的进气管道与所述吸气口连通。

10.如权利要求1所述的基片温度稳定装置，其特征在于，所述第二温度稳定模块包括第二基片支撑面以及散热方向朝向所述第二基片支撑面第二冷却单元，所述第二基片支撑面所在的平面高于所述第二冷却单元的散热面，在所述第二时长内，所述基片与所述第二冷却单元之间形成有气膜。

11.如权利要求10所述的基片温度稳定装置，其特征在于，所述第二冷却单元内设置有水冷管道，所述第二基片支撑面的面积小于所述第二冷却单元的散热面的面积。

12.一种光刻系统，其特征在于，所述光刻系统包括如权利要求1至11任一项所述的基片温度稳定装置。

13.如权利要求12所述的光刻系统，其特征在于，所述光刻系统还包括基片传输装置，用于将所述基片从所述第一工位转移至所述第二工位，并将所述基片从所述第二工位转移至曝光工件台。