[发明专利]一种多维微流控芯片及其使用方法

权利要求书

1.一种多维微流控芯片，其特征在于，包括盖片层（1）、腔室层一（2）、腔室层二（3）、纳米多孔膜（4）、通道层（5）和基底层（6），所述腔室层一（2）和所述腔室层二（3）上设置有若干均匀的用于化学反应或生物细胞培养的腔室，所述通道层（5）上沿芯片长度方向设置有若干平行的直通道，所述直通道最右侧为出样孔（7），所述腔室层一（2）和所述腔室层二（3）上等间距设置有若干与所述直通道相对应的腔室，所述纳米多孔膜（4）上设置有若干大小均一的通孔，所述盖片层（1）最左边设置有一列供进样针管（8）通过的入口，所述入口正下方为所述直通道的开口端，所述纳米多孔膜（4）材质为聚碳酸酯，孔的大小为1~900nm。

2.如权利要求1所述的多维微流控芯片，其特征在于，所述盖片层（1）、所述腔室层一（2）、所述基底层（6）材质为聚二甲基硅氧烷，所述腔室层二（3）和通道层（5）材质为改性聚二甲基硅氧烷。

3.如权利要求2所述的多维微流控芯片，其特征在于，所述改性聚二甲基硅氧烷通过以下方法制备得到：聚二甲基硅氧烷和80%乙氧基化的聚乙烯亚胺溶液按10g：20~50 μl的比例搅拌均匀后抽真空，得到改性聚二甲基硅氧烷。

4.如权利要求2所述的多维微流控芯片，其特征在于，所述通道层（5）和基底层（6）通过以下方法制备得到：将改性聚二甲基硅氧烷紧贴在阳膜上，在90℃温度下加热20~30min至半凝固，再加入聚二甲基硅氧烷在90℃温度下加热10~20min至凝固。

5.如权利要求2所述的多维微流控芯片，其特征在于，所述腔室层一（2）和所述腔室层二（3）通过以下方法制备得到：将旋涂的聚二甲基硅氧烷在75℃温度下加热20~40min，再旋涂改性聚二甲基硅氧烷，加热至黏性状态，得腔室层薄膜，通过打孔器或者激光打孔方式形成阵列腔室。

6.如权利要求5所述的多维微流控芯片，其特征在于，旋涂聚二甲基硅氧烷和改性聚二甲基硅氧烷时，转速为500~2000r/min，时间为15~60s。

7.权利要求1~6任一项所述的多维微流控芯片的使用方法，其特征在于，包括以下步骤：

在复合腔室内添加物质A，然后通过进样针管在通道层的直通道内加入物质B，然后将芯片放入液体石蜡中淹没，将注射泵与进样针管连接，驱动流体在直通道内流动并使物质B扩散至上层腔室中。

8.如权利要求7所述的多维微流控芯片的使用方法，其特征在于，所述物质A为生物组织、细胞或细菌，物质B为细胞培养液、组织培养液、药物或生长因子。