[发明专利]一种腐蚀液及芯片台面的制备方法

说明书

本发明提供一种腐蚀液及芯片台面的制备方法，涉及半导体芯片制备领域。腐蚀液，包括：溶剂和溶于所述溶剂中的重铬酸盐和卤酸。利用该腐蚀液能够解决现有芯片采用IPC干法刻蚀造成的刻蚀速率不均、刻蚀表面粗糙且刻蚀成本高的问题，使刻蚀速率更均匀，降低刻蚀成本，提高表面刻蚀质量的效果。

技术领域

本发明涉及半导体芯片制备领域，尤其涉及一种腐蚀液及芯片台面的制备方法。

背景技术

随着光通信技术的迅猛发展，光通信传输速率越来越快，而光电探测器芯片作为光通信系统中的核心芯片，对接收速率的要求也随之越来越高，光电探测器平面式结构的芯片采用的工艺成熟，生产成品率高，稳定性及可靠性好，但是平面式结构的芯片不能完全满足高速光电探测器芯片对宽带性能的要求，为了提高传输速率，10GHz及以上高速光电探测器件多采用台面式结构芯片。而为了制作台面结构，目前主流的方法是用ICP设备进行干法蚀刻，然而ICP干法刻蚀有着速率不均匀，刻蚀表面粗糙的缺点，并且刻蚀设备造价高昂，给企业生产带来成本压力。

发明内容

本发明的第一目的在于提供一种腐蚀液，以解决现有芯片采用IPC干法刻蚀造成的刻蚀速率不均、刻蚀表面粗糙且刻蚀成本高的问题。

本发明的第二目的在于提供一种芯片台面的制备方法，以解决现有芯片台面刻蚀速率不均、刻蚀表面粗糙且刻蚀成本高的问题。

为达到上述发明目的，本发明采用的技术方案如下：

一种腐蚀液，包括：溶剂和溶于所述溶剂中的重铬酸盐和卤酸。

进一步地，每升溶剂中加入的所述重铬酸盐的质量为10-20g。

进一步地，所述重铬酸盐包括重铬酸钾、重铬酸钠或重铬酸铵中的至少一种。

进一步地，所述重铬酸为重铬酸钾。

进一步地，所述卤酸中的卤化氢占所述溶剂的体积分数为8-20％。

进一步地，所述卤酸包括氢氟酸、氢氯酸、氢溴酸或氢碘酸中的至少一种。

进一步地，所述卤酸为氢溴酸。

进一步地，所述氢溴酸的体积浓度为30％-50％。

进一步地，所述溶剂为水。

一种芯片台面的制备方法，将刻有光刻胶的衬底置于本发明的腐蚀液中进行腐蚀后，在所述衬底表面形成台面。

本发明提供的上述技术方案与现有技术相比具有如下优点：

本发明提供的腐蚀液包括重铬酸盐和卤酸，重铬酸盐中的重铬酸根具有强腐蚀性，在芯片的腐蚀过程中起主要腐蚀作用；卤酸配合重铬酸盐，共同作用于芯片，从而形成一种针对半导体芯片，尤其是In/InGaAs芯片的非选择性腐蚀液配方。本发明提供的腐蚀液对现有的光刻胶不会产生腐蚀影响，因此，利用本发明提供的腐蚀液对半导体芯片进行腐蚀，尤其是对In/InGaAs芯片进行腐蚀，可以得到刻蚀表面均匀性好，对芯片表面损伤少的台面结构。利用本发明提供的腐蚀液对芯片进行腐蚀属于湿法腐蚀，相对于传统的干法腐蚀，该湿法腐蚀操作简便，对设备要求低，且易于实现大规模批量生产。

附图说明

此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本发明的实施例，并与说明书一起用于解释本发明的原理。

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例1中In/InGaAs衬底的台面高度随不同腐蚀时间的变化曲线图。

具体实施方式