[发明专利]半导体晶圆的加工方法

权利要求书

1.一种半导体晶圆的加工方法，其特征在于，包括：

开启射频源，使射频源输出第一射频功率，并将工艺腔室的腔室压力设为第一腔室压力；

维持所述射频源开启，将所述射频源的输出功率由所述第一射频功率调节至过渡射频功率，所述过渡射频功率为维持启辉的最低射频功率；同时，将所述腔室压力由所述第一腔室压力调节至第一过渡腔室压力，所述第一过渡腔室压力＝X％*所述第一腔室压力+Y％*第二腔室压力，其中，X和Y为大于零的自然数，且X+Y＝100；

在预定时间段内，使所述射频源持续输出所述过渡射频功率；同时，将所述腔室压力由所述第一过渡腔室压力调节至第二过渡腔室压力，所述第二过渡腔室压力等于所述第一过渡腔室压力和所述第二腔室压力的平均值；

将所述射频源的输出功率由所述过渡射频功率调节至第二射频功率；

同时，将所述腔室压力由所述第二过渡腔室压力调节至所述第二腔室压力；及

使所述射频源输出所述第二射频功率，并使所述腔室压力保持在所述第二腔室压力。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，以设定固定调节速率的方式或设定固定调节时间的方式将所述第一射频功率线性地调节至所述过渡射频功率；和/或

以设定固定调节速率的方式或设定固定调节时间的方式将所述过渡射频功率线性地调节至所述第二射频功率。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，以设定固定调节速率的方式或设定固定调节时间的方式将所述腔室压力由所述第一腔室压力线性地调节至第一过渡腔室压力；和/或

以设定固定调节速率的方式或设定固定调节时间的方式将所述腔室压力由所述第一过渡腔室压力线性地调节至第二过渡腔室压力；和/或

以设定固定调节速率的方式或设定固定调节时间的方式将所述腔室压力由所述第二过渡腔室压力线性地调节至所述第二腔室压力。

4.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述固定调节速率的取值范围为800W/S-1000W/S。

5.如权利要求1-4任一项所述的方法，其特征在于，所述射频源为脉冲射频源或连续波射频源。

6.如权利要求1-4任一项所述的方法，其特征在于，所述过渡射频功率为300瓦特。

7.如权利要求1-4任一项所述的方法，其特征在于，当所述第一腔室压力大于所述第二腔室压力时，X大于Y。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：

在所述射频源持续输出所述过渡射频功率的同时，将所述工艺腔室中的第一反应气体调节为第二反应气体，并且将第一反应气体流量调节为第二反应气体流量。

9.如权利要求1或8所述的方法，其特征在于，还包括：

在所述射频源持续输出所述过渡射频功率的同时，将感应线圈的第一电流分配比例调节至过渡电流分配比例，其中所述过渡电流分配比例等于所述第一电流分配比例与第二电流分配比例的平均值；

在将所述射频源的输出功率由所述过渡射频功率调节至所述第二射频功率的同时，将所述过渡电流分配比例调节至所述第二电流分配比例。