[发明专利]吸收层结构、薄膜太阳能电池及其制备方法

权利要求书

1.一种吸收层结构，其特征在于，至少包括第一吸收层(31)和第二吸收层(32)，所述第一吸收层(31)叠设在所述第二吸收层(32)上；所述第一吸收层(31)的带隙大于所述第二吸收层(32)的带隙。

2.根据权利要求1所述的吸收层结构，其特征在于，所述第二吸收层(32)的材料包括Cu(InGa)Se₂，和/或，所述第一吸收层(31)的材料包括Cu(InGa)S₂。

3.根据权利要求1或2所述的吸收层结构，其特征在于，所述第二吸收层(32)与所述第一吸收层(31)的厚度比为3:1～7:1；优选为5:1。

4.一种薄膜太阳能电池，其特征在于，包括如权利要求1-3任一所述的吸收层结构(3)。

5.根据权利要求4所述的薄膜太阳能电池，其特征在于，所述薄膜太阳能电池还包括电极层(4)，所述吸收层结构(3)以所述第二吸收层(32)与所述电极抵接方式制备在所述电极层(4)上。

6.根据权利要求4或5所述的薄膜太阳能电池，其特征在于，所述吸收层结构(3)的厚度为1～1.5μm。

7.一种如权利要求4、5或6所述薄膜太阳能电池的制备方法，其特征在于，在所述第一吸收层(31)的材料为Cu(InGa)S₂和所述第二吸收层(32)的材料为Cu(InGa)Se₂时，所述薄膜太阳能电池的制备方法包括以下步骤：

①.在衬底上磁控溅射制出电极层(4)；

②.在所述电极层(4)上制备Cu(InGa)Se₂膜；

③.对所述Cu(InGa)Se₂膜表面进行硫化处理，获得Cu(InGa)S₂层；

④.再在所述Cu(InGa)S₂层上制备预设层。

8.根据权利要求7所述的薄膜太阳能电池制备方法，其特征在于，步骤②中，Cu(InGa)Se2膜的制备方式包括磁控共溅射、热蒸发或电子束蒸发。

9.根据权利要求8所述的薄膜太阳能电池制备方法，其特征在于，所述磁控共溅射包括采用多元化合物靶、合金靶或金属单质靶方式进行的磁控共溅射。

10.根据权利要求7所述的薄膜太阳能电池制备方法，其特征在于，对步骤②获得的Cu(InGa)Se₂膜进行如下处理：在惰性氛围及富硒条件下，500℃～550℃退火并硒化，时长10～20min。

11.根据权利要求7所述的薄膜太阳能电池制备方法，其特征在于，步骤③中硫化处理为：在惰性氛围中340℃～380℃进行退火并硫化，时长5～8min。

12.根据权利要求7或11所述的薄膜太阳能电池制备方法，其特征在于，对步骤③硫化处理后的Cu(InGa)Se₂膜和Cu(InGa)S₂层进行如下处理：在盐酸和水的体积比为1:9～10的酸液中，浸泡1～2min；去离子水浸泡去除盐酸。