[发明专利]一种探测单元、超宽带光探测器及探测方法

权利要求书

1.一种探测单元，用于超宽带光探测，其特征在于，包括NbS₃晶体片和两个电极，两个所述电极分别设置在所述NbS₃晶体片的长度方向两端，且分别与所述NbS₃晶体片形成欧姆接触。

2.一种超宽带光探测器，其特征在于，包括如权利要求1所述的探测单元，以及用于采集所述探测单元上电势差数据的探测电路，两个所述电极分别与所述探测电路电连接。

3.根据权利要求2所述的超宽带光探测器，其特征在于，包括用以支撑所述探测单元的基底，所述探测单元固定在所述基底上。

4.根据权利要求3所述的超宽带光探测器，其特征在于，两个所述电极设为两个同材质的金属电极。

5.根据权利要求3所述的超宽带光探测器，其特征在于，两个所述电极设为两个不同材质的金属电极。

6.根据权利要求3所述的超宽带光探测器，其特征在于，所述探测单元还包括栅介质层、栅电极和天线，两个所述电极设为源电极和漏电极，所述栅介质层铺设在所述NbS₃晶体片和两个所述电极构成的异质结的上表面，所述栅电极设置在所述栅介质层上端且位于所述NbS₃晶体片中央，所述天线分别与所述源电极和所述栅电极连接。

7.根据权利要求6所述的超宽带光探测器，其特征在于，所述天线包括分体的第一天线和第二天线，所述第一天线与所述源电极连接，所述第二天线与所述栅电极连接。

8.根据权利要求6所述的超宽带光探测器，其特征在于，所述栅介质层的材料包括SiO₂、Al₂O₃、HfO₂或六方氮化硼。

9.根据权利要求6所述的超宽带光探测器，其特征在于，所述天线设置为螺旋天线、蝶形天线或对数周期天线。

10.根据权利要求4或5或6所述的超宽带光探测器，其特征在于，两个电极都成薄片状且都固定在所述基底的上表面或所述NbS₃晶体片的上表面。

11.根据权利要求3-9任一所述的超宽带光探测器，其特征在于，所述基底为薄片状，且材料包括蓝宝石，Si/SiO₂，石英，玻璃或云母。

12.根据权利要求3-9任一所述的超宽带光探测器，其特征在于，所述探测单元有多个，多个所述探测单元呈线阵或面阵排布。

13.根据权利要求2-9任一所述的超宽带光探测器，其特征在于，所述探测电路为用以读取电势差的电测量设备。

14.根据权利要求12所述的超宽带光探测器，其特征在于，多个所述探测单元设置在基底上且呈线阵排布，所述基底包括间隔设置的第一基底和第二基底，任一所述探测单元的两个电极分别固定在所述第一基底和第二基底上且所述NbS₃晶体片的两端分别与两个所述电极形成欧姆接触。

15.根据权利要求12所述的超宽带光探测器，其特征在于，所述基底有多个，多个所述基底设在同一平面上，所述基底和探测单元一一对应，每一所述探测单元的两个所述电极贯穿对应的基底，所述探测单元的NbS₃晶体片设置在该基底的一侧且两端与两个所述电极形成欧姆接触。

16.根据权利要求15所述的超宽带光探测器，其特征在于，所述电极截面呈矩形，且所述电极在所述基底背向所述NbS₃晶体片的一侧形成引脚。

17.一种如权利要求2-16所述的超宽带光探测器的探测方法，其特征在于，包括：

固定探测器，将探测器固定在光学平移台上；

照射探测器，控制光源照射探测器，使得光源产生的光斑落在所述NbS₃晶体片上；

采集探测电路数据，读取和记录所述探测单元两端的电势差变化数据。