[发明专利]存储设备和操作该存储设备的方法

说明书

公开了存储设备和操作该存储设备的方法。在一种操作包括非易失性存储器(NVM)的存储设备的方法中，所述非易失性存储器包括存储器单元阵列，所述存储器单元阵列包括第一平面和第二平面，所述方法包括接收用于所述第一平面和所述第二平面的数据感测的读取命令集；基于所述读取命令集同时将存储在所述第一平面中的第一页面数据加载到第一平面的第一页面缓冲区中、并将存储在所述第二平面中的第二页面数据加载到第二平面的第二页面缓冲区中；接收包括所述第一平面的数据输出命令集；并基于所述数据输出命令集连续地发送第一页面数据和第二页面数据。

相关专利申请的交叉引用

本申请要求于2018年11月9日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2018-0137599号的权益，其公开内容通过引用整体并入本文。

技术领域

一些发明构思的一些示例实施例涉及存储设备，并且包括包含非易失性存储器的存储设备，和/或操作存储设备的方法。

背景技术

作为非易失性存储器，即使当电源关闭时，闪存也可以保留存储的数据。近来，包括诸如嵌入式多媒体卡(eMMC)、通用闪存(UFS)、固态驱动器 (SSD)等闪存的存储设备已被广泛使用，并且可用于存储或移动大量数据。

发明内容

一些发明构思的一些示例实施例包括操作包括非易失性存储器的存储设备的方法，该非易失性存储器包括存储器单元阵列，并且该存储器单元阵列包括第一平面和第二平面。该方法包括接收用于包括第一平面和第二平面的数据感测的读取命令集；基于读取命令集，同时将存储在第一平面中的第一页面数据加载到第一平面的第一页面缓冲器中，并将第二平面中存储的第二页面数据加载到第二平面的第二页面缓冲器中；接收包括第一平面的数据输出命令集；并且基于数据输出命令集，连续地发送第一页面数据和第二页面数据。

一些发明构思的一些示例实施例包括操作包括包含多个平面的非易失性存储器的存储设备的方法。该方法包括接收用于数据感测的读取-输出命令集；基于读取-输出命令集，感测多个平面中的至少两个平面的数据输出，将存储在多个平面的至少两个平面中的至少两个页面数据加载到分别连接到至少两个平面的至少两个页面缓冲器中，并连续输出至少两个页面数据。

一些发明构思的一些示例实施例包括包含非易失性存储器的存储设备，该非易失性存储器包括存储器单元阵列，该存储器单元阵列包括多个平面，多个平面中的相应平面连接到页面缓冲器，其中非易失性存储器被配置为同时将存储在多个平面的第一平面中的第一页面数据加载到第一平面的第一页面缓冲器，并将存储在多个平面中的第二页面数据加载到第二平面的第二页面缓冲器，并基于数据输出命令集输出第一页面数据和第二页面数据；以及存储器控制器，被配置为将读取命令集和数据输出命令集发送给非易失性存储器，并从非易失性存储器接收第一页面数据和第二页面数据，其中，非易失性存储器还被配置为从存储器控制器接收识别至少两个页面缓冲器中的一个页面缓冲器的列地址的第一数据输出命令集，基于第一数据输出命令集输出加载到一个页面缓冲器中的第一页面数据，并基于第一数据输出命令而不是识别另一页面缓冲器的列地址的另一数据输出命令集来输出加载到另一页面缓冲器中的另一页面数据。

附图说明

通过以下结合附图的详细描述，可以更清楚地理解本发明一些发明构思的示例实施例，其中：

图1是示出根据一些发明构思的示例实施例的存储系统的框图；

图2是示出根据一些发明构思的示例实施例的操作存储设备的方法的流程图；

图3是示出根据一些发明构思的示例实施例的非易失性存储器的实现示例的框图；

图4A和图4B是示出图3的存储器块的电路图；

图5是示出根据一些发明构思的示例实施例的存储器控制器的实现示例的框图；