[发明专利]一种叉指电极结构偏振相关窄带探测器、其制备和应用

权利要求书

1.一种基于胶体量子点的叉指电极结构偏振相关窄带探测器，其特征在于，自下而上包括衬底、金属背板、二氧化硅层、叉指电极结构阵列层以及胶体量子点层；其中

所述叉指电极结构阵列层由若干个叉指电极单元结构纵横排列构成，所述叉指电极单元结构包括中空结构以及中空结构两侧的条形金属，所述中空结构包括两端的中空条形结构以及中间的中空增宽结构，且所述中空增宽结构的增宽方向垂直于所述中空条形结构的条形所在的方向；一个所述中空条形结构的条形宽度与所述中空条形结构两侧的条形金属宽度的总和构成一个所述叉指电极单元结构的周期。

2.如权利要求1所述的偏振相关窄带探测器，其特征在于，所述金属背板为金背板、银背板或铝背板，所述金属背板的厚度为50-100nm。

3.如权利要求1所述的偏振相关窄带探测器，其特征在于，所述二氧化硅层的厚度为50-300nm。

4.如权利要求1所述的偏振相关窄带探测器，其特征在于，所述叉指电极结构阵列层使用的材料为金，厚度为50-100nm；所述叉指电极单元结构的周期长度为800-2000nm。

5.如权利要求1所述的偏振相关窄带探测器，其特征在于，所述中空条形结构的宽度为100-200nm，所述中空增宽结构最宽处的宽度与所述叉指电极单元结构的周期长度比为0.2-0.8。

6.如权利要求1所述的偏振相关窄带探测器，其特征在于，所述中空增宽结构为圆形。

7.一种如权利要求1至6任一项所述的偏振相关窄带探测器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1)选取衬底，通过电子束蒸发在所述衬底上镀一层金属背板；

(2)使用化学气相沉积法在步骤(1)得到的金属背板上沉积二氧化硅层；

(3)在步骤(2)得到的二氧化硅层表面旋涂光刻胶，将预先设计好的条型结构版图通过电子束曝光设备对所得的样品的光刻胶面曝光，形成带有图案的光刻胶层；然后对曝光后的样品进行显影处理，得到叉指电极结构阵列的光刻胶层；

(4)通过电子束蒸发在步骤(3)得到的样片表面蒸镀金属材料，并进行剥离去胶处理以形成叉指电极结构阵列；

(5)在步骤(4)表面所得的样品表面旋涂胶体量子点，制得所述偏振相关窄带探测器。

8.如权利要求7所述的制备方法，其特征在于，步骤(4)所述金属材料为金，厚度为50-100nm。

9.如权利要求1至6任一项所述的偏振相关窄带探测器的应用，其特征在于，应用于光纤通信、光学成像、气体传感或光谱分析。