[发明专利]基于电火花加工的零件加工方法有效

专利信息
申请号: 201911035805.9 申请日: 2019-10-29
公开(公告)号: CN110722230B 公开(公告)日: 2020-10-09
发明(设计)人: 徐斌;冯涛;伍晓宇;雷建国;赵航;石红雁;梁祖健;付连宇 申请(专利权)人: 深圳大学
主分类号: B23H1/00 分类号: B23H1/00;B23H1/04;G06F30/15;G06T17/00
代理公司: 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 代理人: 谢岳鹏
地址: 518061 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 基于 电火花 加工 零件 方法
【权利要求书】:

1.一种基于电火花加工的零件加工方法,其特征在于,包括如下步骤,

S10,制作三维零件几何模型及互补的三维电极几何模型;

S20,基于三维零件几何模型进行离散切片,得到多个零件薄片结构,并获取每一零件薄片结构的轮廓数据,基于三维电极几何模型进行离散切片,得到多个电极薄片结构,并获取每一电极薄片结构的轮廓数据;

S30,设置第一成型基片及第二成型基片,根据零件薄片结构的轮廓数据以及电极薄片结构的轮廓数据切割第一成型基片及第二成型基片,得到多个零件基片与电极基片;S40,叠加零件基片拟合成基础零件,叠加电极基片拟合成三维电极,三维电极的内腔的整体尺寸大于基础零件的整体尺寸;

S50,将基础零件置于三维电极的内腔中,并向基础零件与三维电极通电,使基础零件与三维电极之间进行电火花放电,获取三维零件;

所述S30步骤包括S31,在第一成型基片的表面溅射一层锡膜;

S32,熔化所述锡膜,将位于零件薄片结构轮廓以内的第一成型基片粘接于第一基板上;

S33,去除第一成型基片位于零件薄片结构轮廓外的部分;

所述S30步骤还包括S34,第二成型基片的表面溅射一层锡膜;

S35,熔化所述锡膜,将位于电极薄片结构轮廓数据以外的第二成型基片粘接于第二基板上;

S36,去除第二成型基片位于电极薄片结构轮廓以内的部分。

2.根据权利要求1所述的基于电火花加工的零件加工方法,其特征在于,所述S10步骤包括,

S11,通过三维计算机辅助软件设计三维零件几何模型;

S12,以三维零件几何模型为依据,建立与三维零件几何模型互补的三维电极几何模型。

3.根据权利要求1所述的基于电火花加工的零件加工方法,其特征在于,所述S20步骤中,将三维零件几何模型与三维电极几何模型沿高度方向进行离散切片。

4.根据权利要求1所述的基于电火花加工的零件加工方法,其特征在于,所述S33步骤中,根据零件薄片轮廓数据,使用激光沿第一成型基片的轮廓位置进行扫描切割,得到零件基片。

5.根据权利要求1所述的基于电火花加工的零件加工方法,其特征在于,所述S36步骤中,根据电极薄片轮廓数据,使用激光沿第二成型基片的轮廓位置进行扫描切割,得到电极基片。

6.根据权利要求4或5所述的基于电火花加工的零件加工方法,其特征在于,在所述S30步骤中,根据零件薄片轮廓数据以及电极薄片轮廓数据,使用激光扫描锡膜,使锡膜熔化。

7.根据权利要求1所述的基于电火花加工的零件加工方法,其特征在于,所述S50步骤中,调整三维电极和/或基础零件的位置,使基础零件进入三维电极的内腔中,并且三维电极与基础零件的中心对齐。

8.根据权利要求1所述的基于电火花加工的零件加工方法,其特征在于,所述S50步骤中,三维电极的内腔壁面与基础零件的外部壁面之间保持5-10微米间距。

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