[发明专利]含铜金属层的蚀刻方法、薄膜晶体管、显示装置及蚀刻剂在审
| 申请号： | 201911036116.X | 申请日： | 2019-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN110714200A | 公开（公告）日： | 2020-01-21 |
| 发明（设计）人： | 钱浩 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | C23F1/02 | 分类号： | C23F1/02;C23F1/18;H01L21/768 |
| 代理公司： | 44570 深圳紫藤知识产权代理有限公司 | 代理人： | 杨艇要 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 含铜金属层 光阻 异常放电 上表面 湿蚀刻 铜离子 机台 蚀刻 曝光显影 蚀刻图案 干蚀刻 蚀刻剂 有效地 膜层 涂覆 预设 宕机 剥离 缓解 | ||
1.一种含铜金属层的蚀刻方法，其特征在于，所述方法包括：
在所述含铜金属层的上表面涂覆一层光阻；
对所述光阻进行曝光显影，以形成预设的蚀刻图案；
对所述含铜金属层进行湿蚀刻；以及
剥离所述含铜金属层上表面的剩余的光阻，
其中，所述湿蚀刻所使用的蚀刻剂包括铜离子，所述铜离子的浓度大于1500ppm。
2.如权利要求1所述的含铜金属层的蚀刻方法，其特征在于，所述蚀刻剂具有生命周期，通过铜离子浓度的上下限进行卡控，在所述蚀刻剂生命周期的初始阶段，通过添加含铜无机盐，使得所述铜离子的浓度大于1500ppm。
3.如权利要求1所述的含铜金属层的蚀刻方法，其特征在于，所述蚀刻剂中还包括过氧化氢。
4.如权利要求1所述的含铜金属层的蚀刻方法，其特征在于，所述含铜金属层为层叠设置的钼与铜的膜层。
5.如权利要求4所述的含铜金属层的蚀刻方法，其特征在于，所述钼膜层的厚度为100-500埃，所述铜膜层的厚度为1000-8000埃。
6.如权利要求1所述的含铜金属层的蚀刻方法，其特征在于，湿蚀刻过程中所述蚀刻剂的温度为25-35℃。
7.一种薄膜晶体管，包括含铜的金属走线，其特征在于，所述含铜的金属走线由权利要求1-6任意一项所述的含铜金属层的蚀刻方法蚀刻而得。
8.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求7所述的薄膜晶体管。
9.一种铜的蚀刻剂，其特征在于，所述蚀刻剂包括：过氧化氢、有机酸与铜离子，所述铜离子的含量大于1500ppm。
10.如权利要求9所述的蚀刻剂，其特征在于，所述过氧化氢的质量百分含量为10-20％，所述有机酸的质量百分含量为1-10％。
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