[发明专利]半导体器件中接触孔的制作方法及半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件中接触孔的制作方法，其特征在于，包括步骤：

提供衬底，所述衬底上形成有源区和位线结构；

于所述位线结构的两侧形成第一间隔层；

于各所述位线结构之间形成接触孔；于所述第一间隔层的侧壁表面形成接触辅助层；

在所述接触孔内或所述接触孔底部的结构上形成接触主体层和接触辅助层，所述接触主体层与所述有源区接触；所述接触主体层和所述接触辅助层的材料不相同；所述接触孔是电容接触孔；

刻蚀所述接触主体层和所述接触辅助层，刻蚀后剩余的接触主体层表面和接触辅助层表面作为第一界面，所述接触主体层和所述接触辅助层的刻蚀速率不同，从而使得刻蚀后所述接触主体层具有与刻蚀后所述接触辅助层不同的高度，得到凹凸不平的所述第一界面；

向所述接触孔内填充导电材料，所述接触孔内导电材料的底部形成与所述第一界面相匹配的轮廓；

其中，刻蚀所述接触主体层和所述接触辅助层，刻蚀后剩余的接触主体层表面和接触辅助层表面作为第一界面的步骤包括：

回刻蚀所述接触主体层，直至所述接触主体层的上表面低于所述电容接触孔的开口；

采用相应的刻蚀选择比刻蚀所述接触辅助层，以使所述接触辅助层的高度小于所述接触主体层的高度，得到帽子形的所述第一界面。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述向所述接触孔内填充导电材料的步骤包括：

对所述第一界面进行金属化处理，得到接触界面；

向所述接触孔内填充导电材料形成导电塞，所述导电塞的底部与所述接触界面相接触。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述接触主体层包括多晶硅层。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述接触辅助层与所述接触主体层的高度差范围介于1nm-20nm之间；

回刻蚀所述接触主体层的步骤之后、采用相应的刻蚀选择比刻蚀所述接触辅助层的步骤之前，包括步骤：

采用离子注入或扩散工艺对所述多晶硅层进行掺杂；其中，所述掺杂的浓度为1×10¹⁸cm^-3至1×10²⁰cm^-3。

5.一种半导体器件中接触孔的制作方法，其特征在于，包括步骤：

提供衬底，所述衬底上形成有源区和位线结构；

于所述位线结构的两侧形成第一间隔层；

于各所述位线结构之间形成电容接触孔；于所述第一间隔层的侧壁表面形成第二间隔层；

在所述接触孔内或所述接触孔底部的结构上形成接触主体层和接触辅助层，所述接触主体层与所述有源区接触；所述接触主体层和所述接触辅助层的材料不相同；所述接触孔是电容接触孔；

在所述接触辅助层上沉积形貌调整层，直至填充满所述电容接触孔；

采用离子注入或扩散工艺对所述形貌调整层进行掺杂；其中，所述形貌调整层的掺杂浓度大于所述接触辅助层的掺杂浓度；

刻蚀所述接触主体层、所述接触辅助层和所述形貌调整层，刻蚀后剩余的接触主体层表面和接触辅助层表面形成波浪形的第一界面，所述接触主体层和所述接触辅助层的刻蚀速率不同，从而使得刻蚀后所述接触主体层具有与刻蚀后所述接触辅助层不同的高度，得到凹凸不平的所述第一界面；

向所述接触孔内填充导电材料，所述接触孔内导电材料的底部形成与所述第一界面相匹配的轮廓；

其中，在接触孔内或接触孔底部的结构上形成接触主体层和接触辅助层的步骤包括：

在所述位线结构的顶部、所述电容接触孔的底部以及所述第二间隔层的表面，沉积所述接触主体层；

采用离子注入或扩散工艺对所述接触主体层进行掺杂；

在掺杂后的所述接触主体层上沉积所述接触辅助层；

采用离子注入或扩散工艺对所述接触辅助层进行掺杂；其中，所述接触主体层与所述接触辅助层保持掺杂浓度差。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述接触主体层包括多晶硅层。