[发明专利]半导体工艺方法

权利要求书

1.一种半导体工艺方法，其特征在于，包括如下步骤：

调节工艺腔室内的腔室压力，使得工艺结束时所述腔室压力调节至预设压力，所述预设压力低于传片压力且大于对所述工艺腔室实现最佳清洗效果时的最低腔室压力；所述预设压力为所述传片压力的95%~100%；

于传片压力下将完成工艺处理后的晶圆从所述工艺腔室内传出。

2.根据权利要求1所述的半导体工艺方法，其特征在于，所述预设压力低于所述传片压力时，将工艺处理后的所述晶圆从所述工艺腔室内传出之前还包括将所述工艺腔室内的腔室压力调节至所述传片压力的步骤。

3.根据权利要求1所述的半导体工艺方法，其特征在于，所述工艺腔室包括反应腔室、冷却腔室或传送腔室。

4.根据权利要求1所述的半导体工艺方法，其特征在于，所述工艺包括成膜工艺及成膜工艺后的清洗工艺，于所述清洗工艺过程中调节所述工艺腔室内的所述腔室压力，以使得清洗工艺结束时所述腔室压力调节至所述预设压力。

5.根据权利要求4所述的半导体工艺方法，其特征在于，调节所述工艺腔室内的所述腔室压力，使得工艺结束时所述腔室压力调节至所述预设压力之前还包括如下步骤：

于传片压力下将待处理的晶圆传送至所述工艺腔室内；

将所述工艺腔室内的腔室压力调节至成膜工艺所需的成膜压力，于所述成膜压力下执行成膜工艺；

成膜工艺结束后使用清洗气体对所述工艺腔室进行清洗。

6.根据权利要求5所述的半导体工艺方法，其特征在于，于传片压力下将完成工艺处理后的所述晶圆从所述工艺腔室内传出之后还包括如下步骤：重复上述步骤至少一次。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体工艺方法，其特征在于，通过调节所述工艺腔室内的清洗气体流量、所述工艺腔室内进行抽气的气泵的抽气速率及抽气时间中的至少一者，以使得工艺结束时所述腔室压力调节至所述预设压力。

8.根据权利要求7所述的半导体工艺方法，其特征在于，所述工艺腔室内的清洗气体流量包括0sccm~5000sccm；所述抽气速率包括0L/s~5000L/s；所述抽气时间包括0s~60s。