[发明专利]一种带有微隔腔的半导体封装结构

权利要求书

1.一种带有微隔腔的半导体封装结构，其特征在于，所述的半导体封装结构包括多通道或多模块的半导体芯片、导热基板、固定填充物、金属焊球、层压电路板，所述的导热基板上形成略大于芯片的长方形凹槽，在其侧壁和顶面加入固定填充物用于半导体芯片和导热基板的粘接，所述的半导体芯片采用倒片摆放的方式粘接在所述的导热基板的腔体中，所述的半导体芯片焊盘方向向下连接所述的金属焊球，所述的金属焊球另一侧连接层压电路板，所述的层压电路板包括金属布线层M1、M2、……、Mn、介质层IMD1、IMD2、……、IMD(n-1)、连接不同金属布线层的过孔，相邻的金属布线层由介质层隔开，任意两层或多层金属布线层之间均通过过孔相连；

所述的多通道或多模块芯片的焊盘连接金属焊球，并与层压电路顶层的金属布线层M1相连；在芯片上按照通道或模块的不同划分成不同的区域，形成通道或模块1、通道或模块2、……、通道或模块n；在每个区域的周围边界上紧密排布金属焊球，由此芯片、金属焊球和层压电路板形成有效降低通道间或模块间电磁耦合的微隔腔结构。

2.根据权利要求1所述的一种带有微隔腔的半导体封装结构，其特征在于，所述的介质层由两种不同材料的介质层组成，由介质一形成的介质层和由介质二形成的介质层相间排列，层压电路板的顶层和底层的材料为介质一，在由介质一形成的介质层内部或表面形成金属布线层，在由介质二形成的介质层内部不形成金属布线层。

3.根据权利要求1所述的一种带有微隔腔的半导体封装结构，其特征在于，所述的金属布线层材料为铜，所述的金属焊球材料为铜锡银合金。