[发明专利]发光元件以及发光二极管在审
申请号: | 201911037711.5 | 申请日: | 2016-02-04 |
公开(公告)号: | CN110676286A | 公开(公告)日: | 2020-01-10 |
发明(设计)人: | 金钟奎;李素拉;尹馀镇;金在权;李俊燮;姜珉佑;吴世熙;金贤儿;林亨镇 | 申请(专利权)人: | 首尔伟傲世有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/36;H01L33/62 |
代理公司: | 11286 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人: | 李盛泉;孙昌浩 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 接触电极 导电型半导体层 发光结构体 绝缘层 发光元件 散热垫 焊盘 第二电极 第一电极 欧姆接触 平面形状 电连接 活性层 散热 夹设 绝缘 暴露 覆盖 | ||
1.一种发光元件,包括:
基底;
第一发光单元,布置在所述基底上;
第二发光单元,布置在所述基板上,并且在第一方向上通过分离区域而与所述第一发光单元隔开;以及
电极连接,将所述第一发光单元电连接到所述第二发光单元,
其中,所述分离区域暴露所述基底,
其中,所述电极连接包括:
第一电极连接,布置在所述第一发光单元上;
第二电极连接,布置在所述第一发光单元上;以及
中间连接,布置在所述分离区域上,
其中,所述第二电极连接包括多个分支,
所述中间连接在垂直于所述第一方向的第二方向上的宽度大于所述多个分支在第二方向上的宽度的总和。
2.根据权利要求1所述的发光元件,其中,所述第二电极连接还包括:从所述中间连接延伸的边缘部,
其中,所述多个分支从所述边缘部延伸。
3.根据权利要求2所述的发光元件,其中,所述边缘部在所述第二方向上的宽度与所述中间连接在所述第二方向上的宽度基本相同。
4.根据权利要求1所述的发光元件,其中,所述第一发光单元和所述第二发光单元中的每一个包括:
第一导电型半导体层;
第二导电型半导体层;以及
活性层,介于第一导电型半导体层与第二导电型半导体层之间,
其中,所述第一电极连接电连接到所述第一发光单元的第二导电型半导体层,所述第二电极连接电连接到所述第二发光单元的第一导电型半导体层。
5.根据权利要求4所述的发光元件,其中,所述第二发光单元包括:接触孔,通过所述第二导电型半导体层和所述活性层暴露所述第一导电型半导体层,以及
其中,所述多个分支通过所述接触孔电连接到所述第一导电型半导体层。
6.根据权利要求5所述的发光元件,其中,所述第一发光单元和第二发光单元中的每一个还包括:接触电极,布置在所述第二导电型半导体层上并与所述第二导电型半导体层形成欧姆接触,
其中,所述第一电极连接电连接到所述第一发光单元的接触电极。
7.根据权利要求6所述的发光元件,还包括:绝缘层,覆盖所述接触电极,
其中,所述绝缘层具有暴露所述第一发光单元的接触电极的开口,
其中,所述第一电极连接通过所述绝缘层的开口连接到所述接触电极。
8.根据权利要求7所述的发光元件,其中,所述绝缘层具有在所述接触孔中暴露所述第一导电型半导体层的开口,
其中,所述第二电极连接的所述多个分支通过所述绝缘层的开口而连接到所述第一导电型半导体层。
9.根据权利要求1所述的发光元件,其中,所述多个分支具有彼此相同的宽度。
10.根据权利要求1所述的发光元件,其中,所述中间连接基本上覆盖所述第一发光单元和所述第二发光单元之间的分离区域。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的