[发明专利]存储器系统、存储器控制器及其操作方法在审
申请号: | 201911037784.4 | 申请日: | 2019-10-29 |
公开(公告)号: | CN111797036A | 公开(公告)日: | 2020-10-20 |
发明(设计)人: | 边谕俊 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | G06F12/0873 | 分类号: | G06F12/0873;G06F12/1009 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 崔卿虎 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储器 系统 控制器 及其 操作方法 | ||
本发明的实施例涉及存储器系统、存储器装置、存储器控制器及其操作方法。包括物理地址与逻辑地址之间的多个映射信息中的一些映射信息的部分映射表被高速缓存,多个映射信息被包括在存储器装置中包括的映射表中,在部分映射表中与由命令指示的数据相对应的映射信息被参考,以及是否执行针对映射信息的参考相关参数的更新根据数据的大小来被控制,从而提高了针对用于处理来自主机的请求的映射信息的高速缓存效率,并且由此增加了高速缓存命中的成功率。
本申请要求于2019年4月9日提交的韩国专利申请No.10-2019-0041235的优先权,其全部内容通过引用合并于此。
技术领域
各种实施例一般地涉及存储器系统、存储器控制器及其操作方法。
背景技术
对应于存储装置的存储器系统基于主机(诸如计算机、移动装置(例如,智能电话、平板电脑)或各种电子装置中的任何一种)的请求来存储数据。存储器系统不仅可以包括将数据存储在磁盘中的装置(诸如硬盘驱动器(HDD)),还可以包括将数据存储在非易失性存储器中的装置(诸如固态驱动器(SDD)、通用闪存(UFS)装置或嵌入式MMC(eMMC)装置)。
存储器系统中包括的非易失性存储器可以包括ROM(只读存储器)、PROM(可编程ROM)、EPROM(电可编程ROM)、EEPROM(电可擦除可编程ROM)、闪存、PRAM(相变RAM)、MRAM(磁性RAM)、RRAM(电阻式RAM)和/或FRAM(铁电RAM)。
存储器系统可以进一步包括用于控制存储器装置的存储器控制器。存储器控制器可以从主机接收命令,并且可以基于所接收的命令来执行或控制用于关于存储器系统中包括的易失性存储器或非易失性存储器来读取、写入或擦除数据的操作。
在传统存储器系统的情况下,由于各种因素,很可能引起问题,因为从主机接收的请求没有被快速处理。因此,在本领域中迫切需要能够快速处理主机请求的的方法。
发明内容
各种实施例涉及存储器系统、存储器控制器及其操作方法,其能够实现主机请求的快速处理。
而且,各种实施例涉及存储器系统、存储器控制器及其操作方法,其能够提高针对用于处理主机请求的映射信息的高速缓存效率。
此外,各种实施例涉及存储器系统、存储器控制器及其操作方法,其能够通过有效地高速缓存物理地址与逻辑地址之间的映射信息来实现高速缓存命中的高成功率。
在一个方面,本公开的实施例可以提供一种存储器系统,包括:存储器装置,被配置为存储具有在物理地址与逻辑地址之间映射的多个映射信息的映射表;以及存储器控制器,被配置为高速缓存包括映射表中包括的多个映射信息中的一些映射信息的部分映射表。
存储器控制器可以参考部分映射表中与由第一命令指示的第一数据相对应的第一映射信息,并且可以执行针对第一映射信息的参考相关参数的更新。
存储器控制器可以参考部分映射表中与由第二命令指示的并且具有与第一数据的第一大小不同的第二大小的第二数据相对应的第二映射信息,并且可以省略针对第二映射信息的参考相关参数的更新。
第一大小可以小于第二大小。
例如,第一大小可以等于或小于阈值,并且第二大小可以超过阈值。根据这些示例,例如,第一大小和第二大小中的一个可以等于阈值。
参考相关参数可以包括参考历史信息和参考计数信息中的至少一项。
当部分映射表处于完全高速缓存状态时,存储器控制器可以基于其参考相关参数来在部分映射表中包括的多个映射信息之中选择牺牲映射信息,可以从部分映射表中擦除牺牲映射信息,并且可以将来自映射表的另一映射信息高速缓存在部分映射表中。
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