[发明专利]金属修饰的半导体基仿生复眼碗结构的SERS基底及构筑方法

权利要求书

1.一种金属修饰的半导体基仿生复眼碗结构的SERS基底的构筑方法，其特征在于，包括如下步骤：

（1）将直径为0.01～10μm的小球在气液界面进行自组装，得到紧密排列的单层球；

（2）将步骤（1）得到的单层球转移到半导体前驱液表面，在小球液面下方的表面原位组装半导体膜，得到下表面附有半导体膜的小球；

（3）将步骤（2）得到的下表面附有半导体膜的小球转移到锥形结构基底表面，再去除小球，得到半导体基仿生复眼碗结构的SERS基底；

（4）在步骤（3）得到的半导体基仿生复眼碗结构的SERS基底表面修饰金属粒子，得到金属修饰的半导体基仿生复眼碗结构的SERS基底；

其中，所述的锥形结构基底的高度为1～100μm，所述的金属粒子的粒径为1~100nm；

所述的半导体膜的材料为硅、金属氧化物、金属硫化物、金属磷化物或导电高分子。

2.根据权利要求1所述的构筑方法，其特征在于，所述的金属粒子的材料为金、银、钯、铂、铜、锂、钠中的一种或几种。

3.根据权利要求1所述的构筑方法，其特征在于，所述的锥形结构基底的材料为硅、二氧化硅、金属氧化物、金属硫化物、金属磷化物、热固型聚合物、热塑性聚合物、光固化型聚合物、聚二甲基硅氧烷烃或上述物质的衍生物中的一种或几种。

4.根据权利要求1所述的构筑方法，其特征在于，在步骤（4）中，金属粒子通过磁控溅射、物理气相沉积、原子层沉积、化学气相沉积或前驱液反应的方法修饰到半导体基仿生复眼碗结构的SERS基底表面。

5.根据权利要求1所述的构筑方法，其特征在于所述的小球的材料为二氧化硅、聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯酸、聚乳酸、壳聚糖、明胶、白蛋白、淀粉或上述物质的衍生物中的一种。

6.根据权利要求1所述的构筑方法，其特征在于，所述的小球通过溶剂洗涤、溶液洗涤、高温煅烧或干法刻蚀方法进行去除。

7.一种权利要求1~6任一项所述的构筑方法构筑得到的金属修饰的半导体基仿生复眼碗结构的SERS基底。

8.权利要求7所述的金属修饰的半导体基仿生复眼碗结构的SERS基底在拉曼传感领域中的应用。

9.根据权利要求8所述的应用，其特征在于，所述的应用包括对水资源和食品中的有害物质进行检测。