[发明专利]一种具有浮岛结构的沟槽型垂直氮化镓功率器件

权利要求书

1.一种具有浮岛结构的沟槽型垂直氮化镓功率器件，包括Body电极(1)和外壳体(5)，其特征在于：所述外壳体(5)的顶端设置有沟槽(6)，所述沟槽(6)的内侧壁固定连接栅金属(9)，所述栅金属(9)的内侧设置有栅介质(11)，所述外壳体(5)的内腔自下而上晶片结构依次设置N+衬底(4)、N型漂移区(3)、P型层(2)和N+掺杂层(10)，所述P型层(2)与N+掺杂层(10)对称设置有两组，所述N型漂移区(3)的内侧对称设置P型浮岛(7)，所述外壳体(5)的顶侧两端对称固定连接源漏电极(8)，两组所述源漏电极(8)的底侧外端均固定连接Body电极(1)，所述Body电极设置在两组N+掺杂层(10)的外端。

2.根据权利要求1所述的一种具有浮岛结构的沟槽型垂直氮化镓功率器件，其特征在于：所述Body电极(1)的材质采用Pd金属材质，并与P型层(2)欧姆电性连接。

3.根据权利要求1所述的一种具有浮岛结构的沟槽型垂直氮化镓功率器件，其特征在于：所述N型漂移区(3)设置为掺杂漂移区，P型浮岛(7)设置为掺杂浮岛。

4.根据权利要求1所述的一种具有浮岛结构的沟槽型垂直氮化镓功率器件，其特征在于：所述源漏电极(8)的材质采用Ti/Al合金材质，所述源漏电极(8)与N+掺杂层(10)欧姆电性连接。

5.根据权利要求1所述的一种具有浮岛结构的沟槽型垂直氮化镓功率器件，其特征在于：所述栅金属(9)的材质采用Ni/Au合金材质，所述栅介质(11)采用SiO₂化合物介质。

6.根据权利要求1所述的一种具有浮岛结构的沟槽型垂直氮化镓功率器件，其特征在于：所述外壳体(5)的材质采用Ti/Al合金材质，并与N+衬底(4)欧姆电性连接。