[发明专利]一种显示基板及其制作方法、显示装置在审
申请号: | 201911038550.1 | 申请日: | 2019-10-29 |
公开(公告)号: | CN112750860A | 公开(公告)日: | 2021-05-04 |
发明(设计)人: | 袁粲;李永谦;袁志东 | 申请(专利权)人: | 合肥京东方卓印科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G09G3/3266 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 解婷婷;曲鹏 |
地址: | 230012 安徽省合肥市新*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 及其 制作方法 显示装置 | ||
1.一种显示基板,其特征在于,包括:基底以及设置在所述基底上的栅线、数据线、电源连接线以及由栅线和数据线交叉限定的多个子像素,每个子像素包括:驱动电路;所述驱动电路包括:多个晶体管和存储电容,所述显示基板存在由栅线和数据线短路形成的不良点,形成所述不良点的栅线为不良栅线;形成不良点的数据线为不良数据线;多个晶体管包括:开关晶体管、驱动晶体管和感测晶体管,所述存储电容的第一电极分别与开关晶体管的第二极和驱动晶体管的栅电极连接,所述存储电容的第二电极分别与驱动晶体管的第二极和感测晶体管的第二极连接;
对于每个子像素,驱动晶体管的第一极与电源连接线连接;所述电源连接线与多个晶体管的栅电极同层设置;所述不良栅线分别与第一修复子像素和第二修复子像素中的开关晶体管的栅电极连接;其中,第一修复子像素和第二修复子像素分别位于不良数据线两侧,且与不良栅线连接,与第一修复子像素和第二修复子像素连接的电源连接线为不良电源连接线;
所述不良栅线和所述不良电源连接线断开设置,对于第一修复子像素和第二修复子像素,所述显示基板还包括:设置在多个晶体管的源漏电极远离基底一侧的修复线,所述修复线分别与部分断开设置的不良栅线和部分断开设置的不良电源连接线连接,且用于传输扫描信号,以对显示基板进行修复。
2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述不良栅线包括:沿栅线延伸方向设置的,且相互断开的第一扫描部、第二扫描部和第三扫描部,其中,所述第二扫描部位于所述第一扫描部和所述第三扫描部之间;
所述第二扫描部在基底上的正投影与所述不良数据线在基底上的正投影存在重叠区域,所述第一扫描部与位于所述不良数据线靠近所述第一修复子像素的一侧的子像素中开关晶体管的栅电极连接;所述第三扫描部分别与位于不良数据线靠近所述第二修复子像素的一侧的子像素中开关晶体管的栅电极连接;
所述修复线分别与第一扫描部和第三扫描部连接。
3.根据权利要求2所述的显示基板,其特征在于,所述不良电源连接线包括沿栅线延伸方向设置的,且相互断开的第一连接部、第二连接部和第三连接部;其中,所述第二连接部位于所述第一连接部和所述第三连接部之间;
所述第一连接部在基底上的正投影与第一修复子像素中的驱动晶体管的第一极存在重叠区域,且与第一修复子像素中的驱动晶体管的第一极连接,所述第三连接部在基底上的正投影与第二修复子像素中的驱动晶体管的第一极存在重叠区域,且与第二修复子像素中的驱动晶体管的第一极连接,所述第二连接部在基底上的正投影与第一修复子像素和第二子修复子像素中的开关晶体管的第二极存在重叠区域,所述第二连接部与修复线连接。
4.根据权利要求3所述的显示基板,其特征在于,所述修复线包括:第一修复部和第二修复部;
其中,所述第一修复部分别与第一扫描部和第二连接部连接;所述第二修复部分别与第三扫描部和第二连接部连接;
所述第一修复部和所述第二修复部的制作材料包括:钨。
5.根据权利要求4所述的显示基板,其特征在于,所述第一修复子像素和所述第二修复子像素均包括:第一凹槽和第二凹槽;
其中,所述第一凹槽贯穿所述第一凹槽所在子像素中开关晶体管的有源层,且所述第一凹槽在基底上的正投影位于所述第一凹槽所在子像素中开关晶体管的第一极在基底上的正投影和所述第一凹槽所在子像素中开关晶体管的栅电极在基底上的正投影之间;
所述第二凹槽贯穿所述第二凹槽所在子像素中开关晶体管的第二极,且所述第二凹槽在基底上的正投影位于所述电源连接线在基底上的正投影和所述第二凹槽所在子像素的驱动晶体管的栅电极在基底上的正投影之间。
6.根据权利要求4所述的显示基板,其特征在于,所述第一修复子像素和第二修复子像素均还包括:第一过孔和第二过孔;
其中,第一修复子像素中的第一过孔用于暴露第一扫描部,第二修复子像素中的第一过孔用于暴露第三扫描部,所述第二过孔用于暴露第二连接部。
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H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的