[发明专利]集成电路装置及其形成方法

说明书

一种集成电路装置及其形成方法，在此提供了具有互连结构的集成电路及形成此集成电路的方法的范例。在一些范例中，此方法包含接收一包含层间介电层的工件。形成包含接触件填充物的第一接触件，且其延伸穿过层间介电层。凹蚀层间介电层，使得接触件填充物延伸出层间介电层的顶表面。在层间介电层上形成蚀刻停止层，使得第一接触件的接触件填充物延伸进蚀刻停止层。形成第二接触件，其延伸穿过蚀刻停止层以连接至第一接触件。在一些这样的范例中，第二接触件和第一接触件的顶表面及侧表面物理接触。

技术领域

本实施例涉及半导体技术，特别涉及一种包含互连部件(interconnect feature)的半导体结构。

背景技术

半导体集成电路产业经历了快速成长。集成电路演进期间，功能密度(即单位芯片面积的互连装置数目)通常会增加而几何尺寸(即可使用生产工艺创建的最小元件(或线))却减少。此微缩化的过程通常会以增加生产效率与降低相关成本而提供助益。然而，此微缩化也会伴随着更为复杂的设计与将集成电路纳入装置的工艺。工艺上对应的进展使更为复杂的设计得以精确与可靠的方式所制造。

装置与和装置耦合的导体网络结构的生产已有所进展。在这方面，一个集成电路可以包括一个互连结构以和电路元件(即鳍式场效型晶体管(FinFETs)、平面场效型晶体管(planar FETs)、存储器装置、双极接面晶体管(Bipolar-Junction TRansitors，BJTs)、发光二极管(LEDs)、其他主动及/或被动元件等)电耦合。互连结构可以包括任意数目的垂直堆叠的介电层和在层间水平方向的导电线路。穿孔可以垂直延伸以连接某一层的导电线路至另一相邻层的导电线路。同样地，接触件可以垂直延伸于导电线路和基底层级的部件之间。线路、穿孔、和接触件共同承载信号、功率、并使装置之间接地且允许它们作为一个电路运行。

发明内容

本实施例提供一种集成电路装置的形成方法，包含：接收包含层间介电层的工件；形成延伸通过该层间介电层的第一接触件，其中第一接触件包含填充材料；凹蚀层间介电层，使得该填充材料延伸出层间介电层的顶表面；在层间介电层上形成蚀刻停止层，使得第一接触件的填充材料延伸进蚀刻停止层；以及形成延伸穿过蚀刻停止层第二接触件以耦合至第一接触件。

本实施例提供一种集成电路装置的形成方法，包含：接收工件，工件包括源极/漏极部件和在源极/漏极部件上的层间介电层；形成延伸穿过层间介电层的第一接触件以电耦合至源极/漏极部件；凹蚀层间介电层，使得第一接触件的顶表面位于层间介电层的顶表面之上；以及形成耦合至第一接触件的第二接触件。

本实施例提供一种集成电路装置，包含：基板、层间介电质，该置于基板上；第一接触件，延伸穿过层间介电质，其中第一接触件延伸出层间介电质；以及第二接触件和第一接触件的顶表面物理性接触。

附图说明

以下将配合说明书附图详述本实施例。应注意的是，依据在业界的标准做法，各种特征并未按照比例绘制且仅用以说明例示。事实上，可任意地放大或缩小元件的尺寸，以清楚地表现出本实施例的特征。

图1A、图1B是根据本发明的不同实施例，示出有互连结构的工件的工艺方法的流程图。

图2是根据本发明的不同实施例，示出执行工艺方法的工件的透视图。

图3、图4、图5、图6、图7、图8、图9、图10、图11、图12、图13、图14、图15、图16、图17是根据本发明的不同实施例，示出沿鳍片长度方向截断鳍片的工件的截面图。

图18是根据本发明的不同实施例，示出沿鳍片长度方向截断鳍片的工件的截面图，其有部分覆盖误差。

附图标记说明：

100～方法

200、1800～工件