[发明专利]阵列基板、显示面板及阵列基板的制作方法

说明书

本发明实施例公开了一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制作方法。阵列基板包括：衬底基板；设置于衬底基板上的驱动晶体管和开关晶体管；驱动晶体管包括第一有源层，开关晶体管包括第二有源层，第一有源层采用结晶化的金属氧化物材料，第二有源层采用未结晶化的金属氧化物材料，且第一有源层和第二有源层同层设置。本发明实施例的方案减小了阵列基板的厚度和重量，符合显示面板轻薄化的发展趋势。

技术领域

本发明实施例涉及显示技术，尤其涉及一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制作方法。

背景技术

有机发光二极管(OLED)显示面板因其具有高对比度、广视角、低功耗等优点得到了广泛应用。然而随着显示技术的发展，人们对OLED显示面板的轻薄化要求越来越高。

发明内容

本发明提供一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制作方法，以降低显示面板的厚度和重量。

第一方面，本发明实施例提供了一种阵列基板，包括：

衬底基板；

设置于衬底基板上的驱动晶体管和开关晶体管；所述驱动晶体管包括第一有源层，所述开关晶体管包括第二有源层，所述第一有源层采用结晶化的金属氧化物材料，所述第二有源层采用未结晶化的金属氧化物材料，且所述第一有源层和所述第二有源层同层设置。

可选的，所述第一有源层的载流子迁移率为所述第二有源层的载流子迁移率的3倍以上。

可选的，所述第一有源层的载流子迁移率大于或等于50cm²/vsec。

可选的，所述驱动晶体管还包括第一栅极层和第一源漏极层，所述开关晶体管还包括第二栅极层和第二源漏极层；

所述第一栅极层和所述第二栅极层同层设置，所述第一源漏极层和所述第二源漏极层同层设置。

可选的，所述金属氧化物材料为铟镓锌氧化物。

第二方面，本发明实施例还提供了一种显示面板，包括本发明任意实施例所述的阵列基板。

第三方面，本发明实施例还提供了一种阵列基板的制作方法，包括：

提供一衬底基板；

在衬底基板上设置驱动晶体管和开关晶体管；其中，所述驱动晶体管包括第一有源层，所述开关晶体管包括第二有源层，所述第一有源层采用结晶化的金属氧化物材料，所述第二有源层采用未结晶化的金属氧化物材料，且所述第一有源层和所述第二有源层同层设置。

可选的，在衬底基板上设置驱动薄膜晶体管和开关薄膜晶体管，包括：

在衬底基板上形成金属氧化物层；

采用掩膜版遮挡第二区域的金属氧化物层，对第一区域的金属金属氧化物层进行结晶化处理；

图案化结晶化处理后的金属氧化物层，在第一区域形成第一有源层，在第二区域形成第二有源层。

可选的，采用准分子激光退火工艺对所述第一区域的金属氧化物层进行结晶化处理，其中，激光的能量大于或等于440mj/cm²。

可选的，所述掩膜版采用金属材料。

可选的，所述掩膜版采用的材料为铝。