[发明专利]介质滤波器的电容耦合结构在审
| 申请号： | 201911039891.0 | 申请日： | 2019-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN110600841A | 公开（公告）日： | 2019-12-20 |
| 发明（设计）人： | 徐华 | 申请（专利权）人： | 苏州海瓷达材料科技有限公司 |
| 主分类号： | H01P1/20 | 分类号： | H01P1/20 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市吴江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 调试孔 盲孔 介质滤波器 耦合孔 通孔 滤波器本体 开口方向 阶梯孔 电容耦合结构 电容耦合 寄生通带 导电层 封闭端 内壁 远端 延伸 | ||
1.一种介质滤波器的电容耦合结构，其特征在于：包括介质滤波器本体（1）以及位于介质滤波器本体（1）上的第一调试孔（2）和第二调试孔（3），所述第一调试孔（2）和第二调试孔（3）之间设有至少一个负耦合孔（4），所述负耦合孔（4）的开口方向与第一调试孔（2）和第二调试孔（3）的开口方向相同；所述负耦合孔（4）为阶梯孔，包括上部通孔和下部盲孔，此阶梯孔的上部通孔一端延伸至滤波器本体（1）外侧，另一端位于滤波器本体（1）内部，与下部盲孔连接，所述下部盲孔远离上部通孔的一端为封闭端，所述第一调试孔（2）、第二调试孔（3）和下部盲孔的内壁均设有导电层。
2.根据权利要求1所述的介质滤波器的电容耦合结构，其特征在于：所述负耦合孔（4）的上部通孔的深度小于第一调试孔（2）和第二调试孔（3）的深度。
3.根据权利要求1所述的介质滤波器的电容耦合结构，其特征在于：所述负耦合孔（4）的总深度分别大于第一调试孔（2）和第二调试孔（3）的深度。
4.根据权利要求1所述的介质滤波器的电容耦合结构，其特征在于：所述负耦合孔（4）设有2个。
5.根据权利要求2所述的介质滤波器的电容耦合结构，其特征在于：所述负耦合孔（4）的总深度为第一调试孔（2）深度的1.1~1.3倍。
6.根据权利要求1所述的介质滤波器的电容耦合结构，其特征在于：所述第一调试孔（2）和第二调试孔（3）为盲孔。
7.根据权利要求1所述的介质滤波器的电容耦合结构，其特征在于：所述介质滤波器本体（1）的材质为非金属材料。
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