[发明专利]一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制造方法

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，设有显示区、行驱动区以及位于行驱动区背离所述显示区一侧的静电释放区，在所述静电释放区内设有静电释放单元；

所述静电释放区包括：

缓冲层；

半导体层，设于所述缓冲层上；

栅极绝缘层，设于所述缓冲层上且覆盖所述半导体层；

栅极金属层，设于所述栅极绝缘层上；所述栅极金属层的投影与所述半导体层的投影相离设置，且所述栅极金属层的投影靠近所述行驱动区；

层间绝缘层，设于所述栅极金属层上；以及

平坦层，设于所述层间绝缘层上；

其中，所述半导体层、所述栅极绝缘层以及所述栅极金属层形成所述静电释放单元；所述栅极金属层在垂直方向上的投影与所述半导体层在垂直方向上的投影的间隔距离为3um-8um；所述栅极金属层朝向所述半导体层的一端与所述显示区的距离为30um-70um，增加所述静电释放区的所述栅极金属层的端部到所述显示区的所述半导体层的距离。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述半导体层的材质包括a-Si、IGZO、IZTO或IGZTO。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述行驱动区包括：

所述缓冲层；

所述栅极绝缘层，设于所述缓冲层上；

所述栅极金属层，设于所述栅极绝缘层上；

所述层间绝缘层，设于所述栅极金属层上；

源漏极金属层，设于所述层间绝缘层上；以及

所述平坦层，设于所述源漏极金属层上。

4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述显示区包括：

阻隔层；

所述缓冲层，设于所述阻隔层上；

有源层，设于所述缓冲层上，通过所述半导体层两端掺杂方式制作；

所述栅极绝缘层，设于所述有源层上；

所述栅极金属层，设于所述栅极绝缘层上；

所述层间绝缘层，设于所述栅极金属层上；

源漏极金属层，设于所述层间绝缘层上；以及

所述平坦层，设于所述源漏极金属层上。

5.一种权利要求1所述的阵列基板的制作方法，所述阵列基板设有显示区、行驱动区以及位于行驱动区背离所述显示区一侧的静电释放区，在所述静电释放区内设有静电释放单元；其特征在于，所述阵列基板的制作方法包括步骤：

制作缓冲层；

制作半导体层，在所述缓冲层上制作半导体层；

制作栅极绝缘层，在所述缓冲层上制作栅极绝缘层，所述栅极绝缘层覆盖所述半导体层；

制作栅极金属层，在所述栅极绝缘层上制作栅极金属层；在所述静电释放区内，所述栅极金属层的投影与所述半导体层的投影相离设置，且所述栅极金属层的投影靠近所述行驱动区；所述半导体层、所述栅极绝缘层以及所述栅极金属层形成静电释放单元；

制作层间绝缘层，在所述栅极金属层上制作层间绝缘层；以及

制作平坦层，在所述层间绝缘层上制作平坦层。

6.根据权利要求5所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，在制作层间绝缘层步骤之后以及制作平坦层步骤之前还包括步骤：

制作源漏极金属层，在所述层间绝缘层上制作源漏极金属层，所述源漏极金属层位于所述显示区以及所述行驱动区。

7.根据权利要求6所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，

在制作缓冲层步骤之前还包括步骤：

制作阻隔层；在所述阻隔层上制作所述缓冲层；

在制作半导体层步骤之后以及制作栅极绝缘层步骤之前还包括步骤：

制作有源层，通过位于所述显示区的所述半导体层两端掺杂的方式制作有源层。

8.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1-4中任一项所述的阵列基板。