[发明专利]薄膜晶体管基板及其制造方法、具备其的液晶显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管基板，其特征在于，具备：

基底基板；以及

薄膜晶体管，其具有：栅极电极，其设置在上述基底基板上；栅极绝缘层，其以覆盖上述栅极电极的方式设置；源极电极和漏极电极，其隔着上述栅极绝缘层在上述栅极电极上以相互相对的方式设置；以及氧化物半导体层，其至少隔着上述栅极绝缘层与上述栅极电极相对，并且第1端部和第2端部分别重叠在上述源极电极和上述漏极电极上从而连接到上述源极电极和上述漏极电极，

上述源极电极和上述漏极电极各自具有第1导电层和包覆上述第1导电层的第2导电层，

上述第2导电层包含从包括钼、钽、钨以及镍的组中选择的至少1种元素，

上述源极电极与上述漏极电极之间的区域下的上述栅极绝缘层的膜厚比上述源极电极下的上述栅极绝缘层的膜厚小，并且比上述漏极电极下的上述栅极绝缘层的膜厚小，

上述薄膜晶体管还具有设置在上述源极电极和上述漏极电极上的蚀刻阻挡层，

上述薄膜晶体管基板还具备：

保护绝缘层，其以覆盖上述薄膜晶体管的方式设置；以及

导电层，其设置在上述保护绝缘层上，并且经由设置于上述蚀刻阻挡层和上述保护绝缘层的第1接触孔连接到上述漏极电极，

上述蚀刻阻挡层覆盖除了上述氧化物半导体层与上述源极电极之间的连接部以外的上述源极电极，并且覆盖除了上述氧化物半导体层与上述漏极电极之前的连接部以及上述导电层与上述漏极电极之间的连接部以外的上述漏极电极，

上述氧化物半导体层与上述源极电极之间的上述连接部以及上述氧化物半导体层与上述漏极电极之间的上述连接部位于设置有上述栅极电极的区域内。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，

上述蚀刻阻挡层未设置在上述氧化物半导体层与上述栅极绝缘层之间，

上述氧化物半导体层隔着上述栅极绝缘层与上述栅极电极相对。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，

上述蚀刻阻挡层介于上述氧化物半导体层与上述栅极绝缘层之间，

上述氧化物半导体层经由设置于上述蚀刻阻挡层的第2接触孔连接到上述源极电极，并且经由设置于上述蚀刻阻挡层的第3接触孔连接到上述漏极电极。

4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，

上述第2接触孔以与上述源极电极的端部以及与上述源极电极的上述端部相邻的上述栅极绝缘层的一部分重叠的方式设置，

上述第3接触孔以与上述漏极电极的端部以及与上述漏极电极的上述端部相邻的上述栅极绝缘层的一部分重叠的方式设置，

在上述源极电极与上述漏极电极之间的区域中，上述蚀刻阻挡层下的上述栅极绝缘层的膜厚比上述第2接触孔下的上述栅极绝缘层的膜厚大，并且比上述第3接触孔下的上述栅极绝缘层的膜厚大。

5.根据权利要求3所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，

上述第2接触孔以与上述源极电极的端部重叠而与上述栅极绝缘层不重叠的方式设置，

上述第3接触孔以与上述漏极电极的端部重叠而与上述栅极绝缘层不重叠的方式设置，

上述源极电极与上述漏极电极之间的区域中的上述蚀刻阻挡层下的上述栅极绝缘层的膜厚比上述源极电极下的上述栅极绝缘层的膜厚小，并且比上述漏极电极下的上述栅极绝缘层的膜厚小。

6.根据权利要求1～5中的任意一项所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，

上述第1导电层是下层部分、中间层部分以及上层部分从上述基底基板侧起按顺序层叠而成的层叠体，

上述中间层部分包含铝或铜，

上述下层部分和上述上层部分各自包含钛或氮化钼。

7.根据权利要求1～5中的任意一项所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，

上述第2导电层包含从包括钼、氮化钼、钼合金、上述钼合金的氮化物、钽、氮化钽、钽合金、上述钽合金的氮化物、钨、氮化钨、钨合金、上述钨合金的氮化物、镍、氮化镍、镍合金以及上述镍合金的氮化物的组中选择的至少一种物质。