[发明专利]研磨垫及研磨装置

说明书

本发明提供了一种研磨垫及研磨装置，包括：一面为研磨面、另一面为支持面的板状的垫主体；以及多个开孔，每个所述开孔从所述研磨面朝向所述支持面凹陷，且每个所述开孔从靠近所述垫主体的中心区域延伸至靠近所述垫主体的周边区域。所述研磨垫上分布多个开孔，减少了被研磨的晶圆中心跟所述研磨垫开孔的区域的接触时间，从而减少了晶圆中心的研磨量，使晶圆中心和晶圆周圈的研磨量趋于一致，提高被研磨晶圆的平整度。

技术领域

本发明属于半导体制造技术领域，具体涉及一种研磨垫及研磨装置。

背景技术

在晶圆制造中，随着制程技术的升级、关键尺寸的缩小，对晶圆表面的平坦程度的要求越来越高，化学机械研磨工艺得到广泛的应用。在化学机械研磨中使用的研磨垫的研磨面呈平面状，晶圆的被研磨面和研磨垫的研磨面相互平行地配置，并通过相互旋转且同时接触而进行研磨。通过一系列复杂的机械和化学作用去除晶圆表面的薄膜，从而达到晶圆平坦化的目的。

实际化学机械研磨工艺中，存在因晶圆被研磨面上研磨量不一致导致研磨后的晶圆的平整度较差，如图1所示，被研磨晶圆中心的研磨量偏大，晶圆周圈的研磨量偏小，晶圆的平整度较差会影响晶圆上制作的多个芯片的一致性和性能。

发明内容

本发明的目的在于提供一种研磨垫及研磨装置，提高被研磨晶圆的研磨平整度。

本发明提供一种研磨垫，包括：

一面为研磨面、另一面为支持面的板状的垫主体；以及

多个开孔，每个所述开孔从所述研磨面朝向所述支持面凹陷，且每个所述开孔从靠近所述垫主体的中心区域延伸至靠近所述垫主体的周边区域。

进一步的，所述垫主体为圆盘状，每个所述开孔从所述垫主体的圆心延伸至所述垫主体的圆周，所述多个开孔以所述垫主体的圆心为中心配置成风车状。

进一步的，所述开孔的数量为3个～10个，且每个所述开孔自所述研磨面凹陷并贯穿所述支持面。

进一步的，在平行于所述研磨面的截面上，所述开孔的截面形状包括：弓形、条形和椭圆形中的任意一种或两种以上的组合。

进一步的，所述垫主体的直径为60～900mm，所述垫主体的厚度为1.3～5.0mm。

进一步的，相邻的所述开孔之间的所述垫主体上分布有多个从所述研磨面向所述支持面延伸的凹槽。

进一步的，所述凹槽为圆形盲孔。

进一步的，所述凹槽为环形凹槽。

进一步的，所述垫主体的材质包括：发泡聚氨酯树脂或无发泡聚氨酯树脂。

本发明还提供一种研磨装置，包括：

上述研磨垫；

与所述研磨垫相向配置并保持被研磨物的保持构件；以及

驱动机构，其通过使所述研磨垫和保持在所述保持构件上的被研

磨物作相对摩擦运动而对所述被研磨物的被研磨面进行研磨。

与现有技术相比，本发明具有如下有益效果：

本发明提供的研磨垫及研磨装置，包括：一面为研磨面、另一面为支持面的板状的垫主体；以及多个开孔，每个所述开孔从所述研磨面朝向所述支持面凹陷，所述研磨垫上分布多个开孔，且每个所述开孔从靠近所述垫主体的中心区域延伸至靠近所述垫主体的周边区域，减少了被研磨的晶圆中心跟所述研磨垫开孔区域的接触时间，从而减少了晶圆中心的研磨量，使晶圆中心和晶圆周圈的研磨量趋于一致，提高被研磨晶圆的平整度。

附图说明

图1为采用现有技术中的一种研磨垫研磨晶圆的研磨量示意图；