[发明专利]一种钙钛矿型立方相掺杂铁酸铋磁光材料及其制备方法与应用在审

专利信息
申请号: 201911040227.8 申请日: 2019-10-29
公开(公告)号: CN110750002A 公开(公告)日: 2020-02-04
发明(设计)人: 庄乃锋;林楠茜;胡晓琳;陈新 申请(专利权)人: 福州大学
主分类号: G02F1/00 分类号: G02F1/00;C23C14/58;C23C14/35;C23C14/08;C04B35/622;C04B35/26
代理公司: 35100 福州元创专利商标代理有限公司 代理人: 修斯文;蔡学俊
地址: 350108 福建省福州市*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 磁光材料 制备方法和应用 射频磁控溅射 磁光效应 磁学性能 钙钛矿型 光隔离器 硅基集成 立方晶系 空间群 立方相 铁酸铋 重现性 晶格 匹配 掺杂 应用
【权利要求书】:

1.一种钙钛矿型立方相掺杂铁酸铋磁光材料,其特征在于:所述钙钛矿型立方相掺杂铁酸铋磁光材料的化学式为Bi1-xSrxFe1-xTixO3x=0.2~0.5,属立方晶系,空间群为;其中Bi、Sr共同占据A格位,Fe、Ti共同占据B格位。

2.一种如权利要求1所述的钙钛矿型立方相掺杂铁酸铋磁光材料的制备方法,其特征在于:包括如下步骤:

(1)多晶粉体的制备:按Bi1-xSrxFe1-xTixO3x=0~0.5的化学计量比准确称取初始原料Bi2O3、Fe2O3、SrCO3、TiO2,置于玛瑙研钵中研磨45分钟;将所得混合粉末于空气气氛、700℃下预烧结4小时,然后重新研磨,再在空气气氛、820℃下烧结6小时得到立方相掺杂铁酸铋多晶粉体;

(2)靶材的制备:按0.05mL/g的比例往步骤(1)所得立方相掺杂铁酸铋多晶粉体中加入PVA粘合剂,充分研磨并压制成片,再在820℃下烧结4小时,获得致密度高的多晶原料靶材;

(3)薄膜的制备:采用射频磁控溅射法,以(100)取向的单晶硅片或SiO2石英玻璃为基底制备Bi1-xSrxFe1-xTixO3薄膜,x=0.2~0.5;

(4)晶化处理:将步骤(3)制得的薄膜在氧气氛围中进行退火,获得Bi1-xSrxFe1-xTixO3磁光材料,x=0.2~0.5。

3.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于:步骤(3)中制备薄膜的射频磁控溅射的工艺参数为:靶基距5cm,本底真空度1×10-4Pa,工作气体为Ar,工作气压1.6Pa,气体流量20Sccm,溅射功率80W,溅射时长为1.5小时。

4.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于:步骤(4)中所述退火是在600℃、氧气气氛中恒温退火3小时,其升温速率为1℃/min,降温速率为0.7℃/min。

5.一种如权利要求1所述的钙钛矿型立方相掺杂铁酸铋磁光材料在光隔离器、光环形器或磁光调制器中的应用。

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