[发明专利]一种钙钛矿型立方相掺杂铁酸铋磁光材料及其制备方法与应用在审
申请号: | 201911040227.8 | 申请日: | 2019-10-29 |
公开(公告)号: | CN110750002A | 公开(公告)日: | 2020-02-04 |
发明(设计)人: | 庄乃锋;林楠茜;胡晓琳;陈新 | 申请(专利权)人: | 福州大学 |
主分类号: | G02F1/00 | 分类号: | G02F1/00;C23C14/58;C23C14/35;C23C14/08;C04B35/622;C04B35/26 |
代理公司: | 35100 福州元创专利商标代理有限公司 | 代理人: | 修斯文;蔡学俊 |
地址: | 350108 福建省福州市*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 磁光材料 制备方法和应用 射频磁控溅射 磁光效应 磁学性能 钙钛矿型 光隔离器 硅基集成 立方晶系 空间群 立方相 铁酸铋 重现性 晶格 匹配 掺杂 应用 | ||
1.一种钙钛矿型立方相掺杂铁酸铋磁光材料,其特征在于:所述钙钛矿型立方相掺杂铁酸铋磁光材料的化学式为Bi1-
2.一种如权利要求1所述的钙钛矿型立方相掺杂铁酸铋磁光材料的制备方法,其特征在于:包括如下步骤:
(1)多晶粉体的制备:按Bi1-
(2)靶材的制备:按0.05mL/g的比例往步骤(1)所得立方相掺杂铁酸铋多晶粉体中加入PVA粘合剂,充分研磨并压制成片,再在820℃下烧结4小时,获得致密度高的多晶原料靶材;
(3)薄膜的制备:采用射频磁控溅射法,以(100)取向的单晶硅片或SiO2石英玻璃为基底制备Bi1-
(4)晶化处理:将步骤(3)制得的薄膜在氧气氛围中进行退火,获得Bi1-
3.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于:步骤(3)中制备薄膜的射频磁控溅射的工艺参数为:靶基距5cm,本底真空度1×10-4Pa,工作气体为Ar,工作气压1.6Pa,气体流量20Sccm,溅射功率80W,溅射时长为1.5小时。
4.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于:步骤(4)中所述退火是在600℃、氧气气氛中恒温退火3小时,其升温速率为1℃/min,降温速率为0.7℃/min。
5.一种如权利要求1所述的钙钛矿型立方相掺杂铁酸铋磁光材料在光隔离器、光环形器或磁光调制器中的应用。
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