[发明专利]一种内嵌沟道二极管的SiC MOSFET制备方法有效
| 申请号： | 201911040817.0 | 申请日： | 2019-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN110739219B | 公开（公告）日： | 2023-03-21 |
| 发明（设计）人： | 周新田;宫皓;贾云鹏;胡冬青;吴郁 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 吴荫芳 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 沟道 二极管 sic mosfet 制备 方法 | ||
1.一种内嵌沟道二极管的SiC MOSFET制备方法，其特征在于，包括：
在衬底层（2）上表面生长N-漂移层（3）；
在所述N-漂移层（3）上表面生长JFET区（4）；
在所述JFET区（4）上采用Ni/Au金属层作为阻挡层，进行2～5次能量为100keV～600keV的Al离子注入，形成左右两个P-base区（5）；
在所述左右两个P-base区（5）及JFET区（4）上表面采用SiO2氧化层作为阻挡层，进行2～5次能量为10keV～200keV的N离子注入，形成左右两个N+源区（6）；
在所述左右两个P-base区（5）、左右两个N+源区（6）及JFET区（4）上表面采用SiO2作为阻挡层，进行2～5次能量为10keV～200keV的Al离子注入，形成左右两个P-plus区（7）；
在1200℃～1800℃的氩气环境中进行离子注入后的高温退火，退火时间为20～60分钟，激活左右两个P-base区（5）、左右两个N+源区（6）及左右两个P-plus区（7）的杂质离子；
在所述JFET区（4）、左右两个P-base区（5）、左右两个N+源区（6）、左右两个P-plus区（7）上表面热生长SiO2，并采用光刻胶作为掩膜版，将SiO2右表面刻蚀变薄；
在SiO2上表面淀积多晶硅，并刻蚀淀积的多晶硅，以形成MOSFET多晶硅栅（8），及沟道二极管多晶硅栅（13）；
在MOSFET多晶硅栅（8）、沟道二极管多晶硅栅（13）、以及所有裸露的上表面淀积SiO2，在该SiO2上表面采用光刻胶作为掩膜版，刻蚀SiO2，以露出P-plus区（7）、N+源区（6）及部分沟道二极管多晶硅栅（13）的上表面，且形成位于左侧N+源区（6）、左侧P-base区（5）以及部分JFET区（4）的上表面的MOSFET栅氧（9），和位于右侧N+源区（6）、右侧P-base区（5）以及部分JFET区（4）的上表面的厚度较薄的沟道二极管栅氧（12）；
在器件正面溅射源极金属（11），在器件背面溅射漏极金属（1）。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
