[发明专利]应用在多晶硅片上简化的背面钝化电池工艺

权利要求书

1.一种应用在多晶硅片上简化的背面钝化电池工艺，其特征是该工艺包括以下步骤：

a、提供太阳能原始硅片；

b、对原始硅片进行制绒、酸洗、水洗和吹干处理；具体的：将氢氟酸、硝酸、添加剂和水混合在一起，形成制绒溶液，在制绒溶液中，氢氟酸的含量为24 ~ 28wt%，硝酸的含量为40~ 45wt%，添加剂的含量为0.5 ~ 1wt%，余量为水；将原始硅片浸泡在5~ 10℃的制绒溶液中进行制绒处理，制绒时间控制在30 ~ 50分钟，制绒溶液在硅片上刻 蚀出凹坑绒面，制绒后，硅片的制绒减薄量控制在0 .3 ~ 0 .5克，硅片的反射率控制在20 ~ 25%；将氢氟酸、盐酸和水混合形成酸洗液，在酸洗液中，氢氟酸的含量为10~15wt%，盐酸的含量为25 ~30wt%，余量为水；将硅片在酸洗液中浸泡4 ~ 6分钟后取出，硅片用纯水清洗后吹干；

c、硅片进行磷扩散处理；具体的：将硅片置于管式扩散炉内进行磷扩散处理，管式扩散炉的温度控制在800 ~ 860℃，管式扩散炉的方块电阻控制在100 ~ 110欧姆，磷扩散处理的时间控制在30 ~ 60分钟，通过磷扩散工艺在硅片表面形成一次均匀的PN结，硅片的结深控制在0.2 ~ 0 .4μm，硅片的表面浓度控制在(2 ~ 6)×10²⁰/cm³；

d、去除硅片背面以及侧面的磷硅玻璃和PN结；

e、硅片的背面和侧面进行碱抛刻蚀；具体的：将硅片浸入抛光液中进行碱抛处理4 ~ 6分钟，在抛光液中含有10 ~ 20wt%的氢氧化钾和1 ~ 2wt%的添加剂，余量为水；碱抛后在酸洗液中酸洗5 ~ 8分钟，酸洗液中含有8 ~ 11wt%的氢氟酸 与18 ~ 22wt%的盐酸，酸洗后进行纯水清洗，纯水清洗后进行后烘干；

f、硅片的正面进行PN结推进；

g、在硅片的正面镀第一氮化硅膜，在第一氮化硅膜上镀第二氮化硅膜，第一氮化硅膜的厚度控制在15 ~ 25nm、折射率控制在1.9 ~ 2.1，第二氮化硅膜的厚度控制在50 ~70nm、折射率控制在1.8 ~ 2.1；

h、在硅片的背面镀第一氮氧化硅膜，在第一氮氧化硅膜上镀第二氮氧化硅膜，在第二氮氧化硅膜上镀第一氮化硅膜，在第一氮化硅膜上镀第二氮化硅膜，第一氮氧化硅膜的厚度控制在5 ~ 15nm、折射率控制在1.7 ~ 1.9，第二氮氧化硅膜的厚度控制在70 ~ 80nm、折射率控制在1.7 ~ 1.9，第一氮化硅膜的厚度控制在25 ~ 35nm、折射率控制在2 .0 ~ 2.1，第二氮化硅膜的厚度控制在25 ~ 35nm、折射率控制在2.0 ~ 2.1；

i、在硅片的背面开窗；

j、对硅片进行丝网印刷；具体的：先在硅片的背面使用背电极浆液进行印刷，印刷后在350 ~ 400℃下烘干，得到背电极，其中，背电极浆液为银或银铝为主的混合物；再在硅片的背面印刷出铝背场，印刷后在350 ~ 400℃下烘干； 然后在硅片的正面印刷出正面电极，印刷后在350 ~ 400℃下烘干； 最后硅片进行烧结，烧结温度控制在700 ~ 800℃，带速控制在5000 ~ 5500mm/min。

2.如权利要求1所述的应用在多晶硅片上简化的背面钝化电池工艺，其特征是：步骤a中，所述太阳能原始硅片为多晶硅片，且多晶硅片的电阻率6以下，多晶硅片的厚度为120um~ 230um，多晶硅片的尺寸为157cm×157cm。

3.如权利要求1所述的应用在多晶硅片上简化的背面钝化电池工艺，其特征是：步骤f中，将硅片置于600 ~ 800℃且无氧无磷源的管式扩散炉进行扩散结推进30 ~ 60分钟。