[发明专利]一种用于单晶炉自动化系统拉晶的工艺

权利要求书

1.一种用于单晶炉自动化系统拉晶的工艺，其特征在于，包括以下步骤：开始自动拉晶、检漏、熔料、熔接、自动引晶、手动引晶、放肩、转肩、等径、收尾、停炉、煅烧、降籽晶稳定化Ⅰ、降籽晶、取渣、取段、普通隔离、AB段隔离、副室净化、稳定化Ⅱ、压力化、复投、料筒提出和冷却保护；

(1)取单晶和籽晶，进行检漏，真空过滤器和炉室清扫，安装石墨件、硅料和籽晶进行准备工作；

(2)进行冲氩气、升功率和融料，打开主室阀，打开氩气流量阀，使氩气流量在20-30L/min，使炉内压力在1000-1500Pa，功率每0.5小时增加一次；

(3)进行引晶、放大、放肩、转肩和等径具体拉晶流程，配合二次加料系统对单炉装料量进行增加，还可以缩短拉晶时间，减少能耗。

2.根据权利要求1所述的一种用于单晶炉自动化系统拉晶的工艺，其特征在于：所述复投流程包括将二次加料筒挂在安装在重锤上的挂壁上，清理干净旋回副室稳定后，打开副真空泵，进行复投工艺，自动进行副室净化，副室净化完成后，打开隔离阀，料筒位置偏移至设定位置，复投完成。

3.根据权利要求1所述的一种用于单晶炉自动化系统拉晶的工艺，其特征在于：所述料筒提出流程包括操作人员将料桶内原料加完后，开始料筒提出工艺，将料筒上升至设定位置，到达该位置后自动关闭隔离阀，以设定的压力维持保压一段时间后，充至常压，自动提升副室至旋转位置，旋开副室至与炉体垂直，降料筒至设定位置，料筒提出完成。

4.根据权利要求1所述的一种用于单晶炉自动化系统拉晶的工艺，其特征在于：所述取渣流程包括粘渣粘牢后，开始取渣工艺，晶体自动上升至设定位置，再以设定拉速向上提升，再向上偏移至指定位置，手动关闭隔离阀隔离。

5.根据权利要求1所述的一种用于单晶炉自动化系统拉晶的工艺，其特征在于：所述稳定化和熔接流程包括加料完成后打开隔离阀，埚位手动调整至引晶埚位，晶转为引晶要求晶转，功率降至引晶功率左右，开始稳定化工艺，稳定化完成后，根据液面温度实际检测值，选择适当时机将籽晶插入溶液面自动熔接、稳温，该功能通过安装在副室顶部的液面测温仪来实现，同时在自动稳温前先手动稳好温度，进入引晶前校准下液面温度，并记录校准系数。

6.根据权利要求5所述的一种用于单晶炉自动化系统拉晶的工艺，其特征在于：所述自动快速收尾流程进行时，拉速以设定值生长，功率上升至设定偏移量，维持一段时间后，设定拉速降低，拉速以设定值生长，继续维持一段时间后，收尾完成，坩埚向下偏移设定偏移量。

7.根据权利要求5所述的一种用于单晶炉自动化系统拉晶的工艺，其特征在于：所述取段隔离流程包括自动收尾工序完成后，开始取段隔离工艺，晶棒以设定拉速向上偏移一段时间后，再一次性偏移设定偏移量，到达指定偏移距离后，自动关闭隔离阀，以设定压力维持一段时间，进行保压后，充至常压。