[发明专利]一种空穴传输材料及使用该种材料的有机电致发光器件在审
申请号: | 201911041651.4 | 申请日: | 2019-10-30 |
公开(公告)号: | CN112250585A | 公开(公告)日: | 2021-01-22 |
发明(设计)人: | 钱超;许军 | 申请(专利权)人: | 南京高光半导体材料有限公司 |
主分类号: | C07C211/61 | 分类号: | C07C211/61;C07C211/55;C07D307/91;C07D209/88;C07D239/26;C07D251/24;C07D213/74;H01L51/50;H01L51/54 |
代理公司: | 南京天华专利代理有限责任公司 32218 | 代理人: | 徐冬涛;李晓峰 |
地址: | 210038 江苏省南京市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 空穴 传输 材料 使用 有机 电致发光 器件 | ||
1.一种空穴传输材料,其特征在于,其结构式如下所示:
R1、R2各自独立的选自氢、取代或未取代的C1-C5的烷基、取代或未取代的C6-C24的芳香族基团;
Ar1、Ar2、Ar3、Ar4各自独立的选自取代或未取代的C6-C30的芳香族基团、取代或未取代的C5-C30的杂芳香族基团;
m,n各自独立的选自1或0,且m,n不同时为0。
2.如权利要求1所述的空穴传输材料,其特征在于,R1、R2各自独立的选自氢、未取代的C1-C5的烷基或至少一个氢被氘取代的C1-C5的烷基,未取代的C6-C24的芳香族基团或至少一个氢被氘取代的C5-C24的芳香族基团;
Ar1、Ar2、Ar3、Ar4各自独立的选自未取代的C6-C30的芳香族基团或至少一个氢被氘取代的C6-C30的芳香族基团、未取代的C5-C30的杂芳香族基团或至少一个氢被氘取代的C5-C30的杂芳香族基团。
3.如权利要求1所述的空穴传输材料,其特征在于,所述R1、R2各自独立的选自氢、甲基、乙基、正丙基、异丙基、叔丁基、苯基、苯甲基、联苯基、三联苯基、9,9-二甲基芴、三苯基苯基;
所述的甲基、乙基、正丙基、异丙基、叔丁基、苯基、苯甲基、联苯基、三联苯基、9,9-二甲基芴、三苯基苯基为未取代的或至少一个氢被氘取代。
4.如权利要求3所述的空穴传输材料,其特征在于,R1、R2各自独立的选自氢、叔丁基,且R1、R2不同时为氢。
5.如权利要求2所述的空穴传输材料,其特征在于,Ar1、Ar2、Ar3、Ar4各自独立的选自以下取代基:
6.如权利要求1-5中任一项所述的空穴传输材料,其特征在于,为以下结构式化合物中的任意一种:
7.如权利要求1-5中任一项所述的空穴传输材料,其特征在于,其制备方法包括如下步骤:
将结构通式为的原料1加入到二甲苯中混匀得到均一溶液降温至-78℃,惰性气体保护下滴加叔丁基锂的戊烷溶液,滴毕后保温搅拌10-30min,恢复室温,依次将正丁基锂的戊烷溶液和AlBr3加入,继续搅拌30-60min,将结构通式为的正己烷溶液滴入,继续反应10-15h后降温至-78℃,用水淬灭,加入乙酸乙酯萃取后分液,乙酸乙酯相减压浓缩后柱层析提纯即可得到所述空穴传输材料。
8.如权利要求1-5中任一项所述的空穴传输材料在制备有机电致发光器件中的应用。
9.一种有机电致发光器件,其特征在于,包括阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极,且空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层中的至少一层含有如权利要求1-5中任一项所述的空穴传输材料。
10.如权利要求9所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述空穴传输层和/或电子传输层含有至少一种如权利要求1-5中任一项所述的空穴传输材料。
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