[发明专利]一种倒装全溶液量子点电致发光器件及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201911041738.1 申请日: 2019-10-30
公开(公告)号: CN110783497A 公开(公告)日: 2020-02-11
发明(设计)人: 王坚;寸阳珂;麦超晃;罗宇;曹丽娟;黎佳立;俞丹牡;李妙姿;张斌斌;彭俊彪;曹镛 申请(专利权)人: 华南理工大学
主分类号: H01L51/56 分类号: H01L51/56;H01L51/50
代理公司: 44102 广州粤高专利商标代理有限公司 代理人: 何淑珍;隆翔鹰
地址: 510640 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 空穴注入层 量子点 改性 制备 空穴 阴极 电致发光器件 空穴传输材料 空穴注入势垒 表面活性剂 电子传输层 空穴传输层 成膜问题 充分混合 极性溶剂 器件性能 器件制备 溶液加工 阳极 发光层 功函数 疏水性 倒装 减小 上极 旋涂 平衡 失败
【说明书】:

发明公开了一种倒装全溶液量子点电致发光器件及其制备方法,包括以下步骤:在阴极上依次形成电子传输层、量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层和阳极,其中在制备空穴注入层时,先将表面活性剂Zonyl加入PEDOT:PSS溶液,充分混合后,在加入极性溶剂得到改性PEDOT:PSS溶液,将所述改性PEDOT:PSS溶液通过旋涂法制备空穴注入层。所述方法解决了溶液加工过程常见的空穴传输材料PEDOT:PSS在疏水性HTL上极难形成均匀的膜,造成器件制备失败的问题。在解决成膜问题的同时,改变了PEDOT:PSS功函数,减小了空穴注入势垒,平衡了空穴电子流,提高了器件性能。

技术领域

本发明属于量子点电致发光器件领域,特别涉及一种倒装全溶液量子点电致发光器件及其制备方法。

背景技术

由于量子点 (QD) 具有激发峰宽,发射峰窄,光谱可调节的特点,基于量子点发光二极管 (QLED) 已成为下一代平板显示器的核心器件。在QLED器件结构中,有两种主要结构:常规器件结构和倒置器件结构。倒置器件与有源驱动面板的n型薄膜晶体管 (TFT) 最匹配,因为倒置QLED的阴极可以直接连接到TFT的漏极,从而降低了像素的驱动电压并稳定了器件,可以更好地运用于高分辨显示技术。

然而,大多数倒置QLED是将溶液加工QD层与真空蒸镀空穴传输层(HTL) 结合在一起而制成的。全溶液倒置QLED面临最大挑战是:聚(乙烯二氧噻吩) /聚苯乙烯磺酸盐(PEDOT: PSS) 是溶液加工过程最常见的商业化的空穴注入材料,然而亲水性空穴注入材料PEDOT: PSS在疏水性HTL上极其困难形成均匀的膜,造成器件制备失败。目前改善这一问题有两种途径:一是用异丙醇 (IPA) 掺杂PEDOT: PSS以改善润湿性(参见“基于润湿性优化的高性能量子点LED研究”和“基于CdSe@ZnS量子点全溶液法构筑绿光反型QLED器件”)。另外一种是在PEDOT: PSS掺杂具有非离子表面活性剂Triton X-100以改善润湿性。然而无论采用哪种方式优化PEDOT: PSS,倒装全溶液QLED的效率都比较低,红光量子点发光二极管最大外量子效率仅为3.4%,绿光和蓝光发光二极管无报道。

可见,提供一种性能更优的PEDOT: PSS改性方法制备倒装全溶液量子点发光二极管,成为目前函待解决的技术问题。

发明内容

本发明为了解决PEDOT:PSS不能均匀地旋涂在HTL表面,造成器件失败的问题,提供一种倒装全溶液量子点电致发光器件及其制备方法,提高了空穴注入性能,增强了量子点发光二极管器件效率。

本发明的目的至少通过以下之一的技术方案实现。

一种倒装全溶液量子点电致发光器件的制备方法,包括以下步骤:在阴极上依次形成电子传输层、量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层和阳极,其中在制备空穴注入层时,先将表面活性剂Zonyl加入PEDOT:PSS溶液,充分混合后,在加入极性溶剂得到改性PEDOT:PSS溶液,将所述改性PEDOT:PSS溶液通过旋涂法制备空穴注入层。

进一步的,表面活性剂Zonyl占PEDOT: PSS溶液的0.1-0.5wt%。

进一步的,极性溶剂与PEDOT: PSS溶液的体积比为1:1-2。

进一步的,所述空穴注入层材料还包括Triton X-100。

进一步的,所述极性溶剂为异丙醇、乙醇、甲醇、DMF或DMSO。

进一步的,所述电子注入层材料为ZnO、 ZnMgO、 TiO2或SnO2纳米材料。

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