[发明专利]用于开关电源且可有效降低待机功耗的高压启动电路在审
申请号: | 201911041965.4 | 申请日: | 2019-10-30 |
公开(公告)号: | CN110829815A | 公开(公告)日: | 2020-02-21 |
发明(设计)人: | 郭修根;吕德强;刘昊 | 申请(专利权)人: | 东莞市奥海科技股份有限公司 |
主分类号: | H02M1/36 | 分类号: | H02M1/36;H02M1/00 |
代理公司: | 深圳市中知专利商标代理有限公司 44101 | 代理人: | 张学群;景志轩 |
地址: | 523000 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 开关电源 有效 降低 待机 功耗 高压 启动 电路 | ||
一种结构简单,用于开关电源且可有效降低待机功耗的高压启动电路。包括与开关电源的变压器初级绕组连接的工作电压输入端、与开关电源的主控芯片的供电端连接的脉冲电压输出端和与主控芯片的地脚连接的接地端,在工作电压输入端与脉冲电压输出端之间还设有计时芯片和自锁电路,计时芯片,在启动开关电源的瞬间,使脉冲电压输出端输出高电平,在延迟设定时间后,使该脉冲电压输出端与该计时芯片的电压输出端处于开路状态;自锁电路,在延迟设定时间后,将该高压启动电路锁定在待机状态,并且使工作电压输入端与接地端之间的漏电流小于0.1mA。其待机功耗可由现有技术中的73mW(220VAC输入,空载损耗)降至28mW。
技术领域
本发明涉及一种芯片启动电路,特别涉及一种用于开关电源高压启动电路的控制电路。
背景技术
通常,开关电源中的主控芯片,在开机瞬间需要一个高压启动电路为其提供开机启动电压,当该主控芯片进入正常工作状态后,该高压启动电路的任务就已完成。
现有技术中的高压启动电路,同行技术人员多采用两个三极管和多个电阻组成一个自锁电路,在高压启动电路完成启动所述主控芯片后,使该高压启动电路进入待机状态。如图1所示,该高压启动电路由PNP型的晶体管Q1、NPN型的晶体管Q2、二极管D1、偏置电阻R1、电阻R3和电容C1构成。
上述高压启动电路中的“Pin H”端通过开关电源(电路原理图见图2所示)中的电阻R32、电阻R33接于开关电源变压器的初级;高压启动电路中的“Pin E”端一路通过开关电源中的第二MOS管、二极管D2和电阻R12接于变压器的辅助绕组,另一路接于所述主控芯片的供电端VDD;高压启动电路中的“Pin G”端接于所述主控芯片的接地端GND。
启动主控芯片的工作原理如下:
开机瞬间,高压启动电路中的“Pin H”端获得电压,通过电阻R1和“Pin E”端为开关电源的主控芯片U1提供启动该主控芯片U1的第一个高电平的脉冲电压,同时,晶体管Q1通过偏置电阻R1导通,然后给电容C1充电,当电容C1电量达到晶体管Q2的阀值时,晶体管Q2导通并将晶体管Q2的集电极电位拉低,二极管D1截止,“Pin E”端将不再给主控芯片U1供电(此时,由变压器的辅助绕组为主控芯片U1提供正常的工作电压),至此,高压启动电路完成启动所述主控芯片的任务。与此同时,晶体管Q1基极也是低电位,持续导通,晶体管Q2也将持续导通,此时,该高压启动电路被锁定并处于待机状态。
高压启动电路中的电容C1用于晶体管Q2的延时导通。
上述高压启动电路存在的不足是:
晶体管Q1需要配置偏置电阻R1才可正常工作,当该高压启动电路处于待机状态时,由于晶体管Q2的集电极电位较低,而“Pin H”端仍处于高电位,因此,在偏置电阻R1中仍有较大的电流流过,从而导致处于待机状态的该高压启动电路的待机功耗仍较大。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种结构简单,用于开关电源且可有效降低待机功耗的高压启动电路。
为了解决上述技术问题,本发明采用的技术方案为:
本发明的用于开关电源且可有效降低待机功耗的高压启动电路,包括与开关电源的变压器初级绕组连接的工作电压输入端、与开关电源的主控芯片的供电端连接的脉冲电压输出端和与所述主控芯片的地脚连接的接地端,其特征在于:在所述工作电压输入端与脉冲电压输出端之间还设有计时芯片和自锁电路,其中,
所述计时芯片,在启动所述开关电源的瞬间,使所述脉冲电压输出端输出高电平,在延迟设定时间后,使该脉冲电压输出端与该计时芯片的电压输出端处于开路状态;
所述自锁电路,在所述的延迟设定时间后,将该高压启动电路锁定在待机状态,并且使所述工作电压输入端与接地端之间的漏电流小于0.1mA。
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