[发明专利]提高GaAs光电阴极稳定性的Cs/NF3激活方法

权利要求书

1.提高GaAs光电阴极稳定性的Cs/NF₃激活方法，其特征在于：包括如下步骤：

步骤一、将GaAs光电阴极放入有机溶剂进行脱脂清洗；

步骤二、将脱脂后的GaAs光电阴极放入酸溶液中进行化学刻蚀；

步骤三、将刻蚀后的GaAs光电阴极放入超高真空系统中进行高温加热净化；

步骤四、将超高温系统的温度降至室温后向GaAs光电阴极通Cs，GaAs光电阴极的光电流或量子效率开始增长，直至到达首个Cs峰；

步骤五、继续对GaAs光电阴极通Cs并使之过量，当GaAs光电阴极的光电流即量子效率下降到首个Cs峰值的70%~80%时，继续通Cs，同时通入NF₃，使得GaAs光电阴极的光电流或量子效率又开始增长；

步骤六、当GaAs光电阴极的光电流或量子效率上升到第2个峰值保持一段时间后关闭Cs源，使GaAs光电阴极的光电流或量子效率再次上升到峰值，此时关闭NF₃，激活结束。

2.根据权利要求1所述的提高GaAs光电阴极稳定性的Cs/NF₃激活方法，其特征在于：步骤一的脱脂清洗的具体过程为：将 GaAs光电阴极依次放入装有四氯化碳、丙酮、无水乙醇和去离子水的容器中，同时将放入GaAs光电阴极的有机溶剂的容器放入超声波清洗器中进行超声波清洗5~10分钟。

3.根据权利要求1所述的提高GaAs光电阴极稳定性的Cs/NF₃激活方法，其特征在于：步骤二中化学刻蚀具体步骤为：将脱脂后的GaAs光电阴极放入HCl:IPA为1:10的溶液中刻蚀不少于5分钟，然后用去离子水冲洗不少于10s。

4.根据权利要求1所述的提高GaAs光电阴极稳定性的Cs/NF₃激活方法，其特征在于：步骤三中高温加热净化具体步骤为：将化学刻蚀后的GaAs光电阴极放入超高真空系统中加热，加热温度为650~660℃，加热时间为20分钟。

5.根据权利要求1所述的提高GaAs光电阴极稳定性的Cs/NF₃激活方法，其特征在于：步骤四、步骤五和步骤六中进行Cs/NF₃激活时的光照条件为633±5nm单色光。