[发明专利]晶体管终端结构及其制造方法

说明书

本发明涉及一种晶体管终端结构及其制造方法，所述方法包括：提供衬底，衬底上形成有第一掩膜层，第一掩膜层开设有分压环掺杂窗口；通过分压环掺杂窗口注入第二导电类型杂质以在衬底上形成多个分压环；在衬底上形成第二掩膜层，第二掩膜层开设有截止环注入窗口；通过截止环注入窗口注入第一导电类型杂质以在衬底上形成截止环，终端结构在各拐角部的截止间距大于在各平直部的截止间距。本发明在拐角部的截止间距大于在平直部的截止间距。晶体管的有源区是低电位，截止环处为高电位，在拐角部形成电场集中的尖峰。拐角部的截止间距越大，截止环与有源区的距离就越远，高电压击穿空气的距离越长，能够避免有源区与截止环间的电弧放电的异常现象出现。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，特别是涉及一种晶体管终端结构，还涉及一种晶体管终端结构的制造方法。

背景技术

各类平面型、沟槽型、特殊结构型的功率晶体管器件需要终端浮空分压环分步承压来提高器件的耐压能力，而常规浮空分压环终端需要以增加浮空分压环的个数来提升耐压能力，如此一来，整个终端长度必将增加，以致整个晶体管器件的面积尺寸也跟随增加，而晶体管面积尺寸是器件制造生产性企业的敏感成本，晶体管面积尺寸增加势必影响到了器件的销售价格，降低了企业的产品市场竞争力，根本上影响了晶体管制造企业的发展生存，也不利于企业产品的更新换代。

发明内容

基于此，有必要提供一种新型的晶体管终端结构及其制造方法。

一种晶体管终端结构，所述终端结构在平面上环状包围晶体管的有源区，所述终端结构包括多个平直部和将相邻的平直部连接在一起的拐角部，各相邻的平直部间呈大于零度的夹角并通过一拐角部连接过渡，所述终端结构包括截止环和多个分压环，各分压环设于截止环与有源区和终端结构的分界处的主结之间；所述终端结构在各拐角部的截止间距均大于在各平直部的截止间距。

在其中一个实施例中，所述截止环在各拐角部的宽度均大于在各平直部的宽度。

在其中一个实施例中，还包括多个多晶硅场板，至少部分多晶硅场板与各分压环一一对应设置，多晶硅场板在对应的分压环顶面的正投影与分压环有交叠。

在其中一个实施例中，还包括金属场板，所述金属场板将距所述截止环最近的一个分压环与对应的多晶硅场板电连接。

在其中一个实施例中，其余各与分压环一一对应的多晶硅场板上不设金属场板与分压环电连接。

在其中一个实施例中，所述截止环的导电类型与各所述分压环相反。

在其中一个实施例中，所述终端结构包括衬底和衬底上的外延层，所述截止环和各分压环设于所述外延层中，所述衬底、外延层及截止环具有第一导电类型，各所述分压环具有第二导电类型。

一种晶体管终端结构的制造方法，所述终端结构在平面上环状包围晶体管的有源区，所述终端结构包括多个平直部和将相邻的平直部连接在一起的拐角部，各相邻的平直部间形成大于零度的夹角并通过一拐角部连接过渡，所述方法包括：提供衬底，所述衬底上形成有第一掩膜层，所述第一掩膜层开设有分压环掺杂窗口；通过所述分压环掺杂窗口注入第二导电类型杂质以在所述衬底上形成多个分压环；在所述衬底上形成第二掩膜层，所述第二掩膜层开设有截止环注入窗口；通过所述截止环注入窗口注入第一导电类型杂质以在所述衬底上形成截止环，所述终端结构在各拐角部的截止间距均大于在各平直部的截止间距，所述第一导电类型和第二导电类型为相反的导电类型。

在其中一个实施例中，所述衬底上还形成有外延层，所述截止环和各所述分压环形成于所述外延层中，所述形成多个分压环之后、所述在所述衬底上形成第二掩膜层之前，还包括步骤：在所述外延层上表面形成场氧化层；在所述场氧化层上形成多个多晶硅场板，至少部分多晶硅场板与各分压环一一对应设置，多晶硅场板在对应的分压环顶面的正投影与分压环有交叠。